| 主权项 |
1. 一种改良聚合接着剂和包封材料间接着性之方法,该方法包括以下步骤:提供一种长聚合分子的聚合接着剂;将该聚合接着剂作处理,使接着剂上包封材料可接着位置之数目增加;以及将包封材料施用于至少一部分之该聚合接着剂上,使该包封材料接着于该聚合接着剂上。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括令该聚合接着剂行氧化反应。3. 根据申请专利范围第2项之方法,其中该聚合接着剂之氧化反应包括将该聚合接着剂曝露于臭氧中。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该曝露于臭氧包括曝露于约10至约10,000ppm (每百万份中之份数)范围之臭氧中。5. 根据申请专利范围第3项之方法,其中该曝露于臭氧包括曝露于约90ppm之臭氧中。6. 根据申请专利范围第3项之方法,其中该曝露于臭氧包括曝露于臭氧约二分钟至约五小时。7. 根据申请专利范围第3项之方法,其中该曝露于臭氧包括于室温下曝露于约50ppm臭氧中历约五小时。8.根据申请专利范围第3项之方法,其中该曝露于臭氧包括于室温下曝露于约10,000ppm臭氧中历约二分钟。9. 根据申请专利范围第3项之方法,其中该曝露于臭氧包括于室温下曝露于约90ppm臭氧中历约一小时。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括于约200℃至约350℃之温度范围下烘焙该聚合接着剂。11. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该烘焙系在含氧气体存在下发生。12. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括于约220℃之温度下烘焙该聚合接着剂。13. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该烘焙为五分钟至约四小时。14. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括于约200℃下烘焙该聚合接着剂约四小时。15. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括于约220℃下烘焙该聚合接着剂约1.5小时。16. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括于约350℃下烘焙该聚合接着剂约五分钟。17. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括该聚合接着剂之电浆灰化。18. 根据申请专利范围第17项之方法,其中该电浆灰化包括于约200瓦特至约1,500瓦特下令该聚合接着剂曝露于约10%至50%氧气中约五至约三十分钟。19. 根据申请专利范围第17项之方法,其中该电浆灰化包括于约300瓦特下令该聚合接着剂曝露于约10%氧气中约10至15分钟。20. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合接着剂包括聚乙烯类物质。21. 根据申请专利范围第20项之方法,其中该聚乙烯类物质包括聚乙烯醇缩丁醛。22. 根据申请专利范围第21项之方法,其中该聚乙烯醇缩丁醛包括酚醛系聚乙烯醇缩丁醛。23. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该包封材料包括环氧树脂。24. 根据申请专利范围第23项之方法,其中该环氧树脂包括酚醛环氧树脂。25. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该烘焙在含氧气体存在下发生。26. 一种制作半导体片封装之方法,该方法包括以下步骤:提供半导体片;将一种长聚合分子的聚合接着剂施用于该半导体片顶部表面上,该施用之聚合接着剂具有其曝露之顶部表面;将一引导框附于该聚合接着剂之曝露顶部表面上;处理该聚合接着剂,使包封材料可接着位置之数目增加;以及将包封材料施用于至少一部分之该聚合接着剂曝露顶部表面,使该包封材料接着于该聚合接着剂曝露顶部表面上,因而以该包封材料包封该半导体片和该聚合接着剂以及该引导框。27. 根据申请专利范围第26项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括令该聚合接着剂行氧化反应。28. 根据申请专利范围第27项之方法,其中该氧化反应包括令该聚合接着剂曝露于臭氧中。29. 根据申请专利范围第26项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括将该聚合接着剂于约200℃至约350℃下烘焙。30. 根据申请专利范围第26项之方法,其中该聚合接着剂之处理包括该聚合接着剂之电浆灰化。31. 根据申请专利范围第26项之方法,其中该聚合接着剂包括酚醛系聚乙烯醇缩丁醛。32. 根据申请专利范围第26项之方法,其中该包封材料包括酚醛环氧树脂。33. 根据申请专利范围第26项之方法,其更包括以下步骤:在施用该聚合接着剂之后,附上该引导框之前,令该聚合接着剂于约160℃之温度下熟化。34. 一种改良环氧基聚合物和具多可氧化官能度基质间接着性之方法,该方法包括用氧化剂处理该基质,使该多可氧化官能度转化成醇官能度,再令该经处理基质与该环氧基聚合物反应;其中该经处理基质之醇官能度接着至该环氧基聚合物上;该氧化剂包括于0℃至60℃之臭氧;以及该氧化剂包括于约200℃至约350℃温度范围下之氧气。35. 根据申请专利范围第34项之方法,其中该氧化剂包括约2%至约50%浓度下之氧气,使用约200至约1500瓦特历约5至约30分钟。36. 根据申请专利范围第34项之方法,其中该可氧化官能度包括缩醛官能度。图示简单说明:图1为显示半导体片、聚合接着剂和引导框空间关系之分解示意图;图2为显示包封引入片封装(包括图1所示之半导体片、接着剂和引导框)之切开示意图;以及 |
