发明名称 信号/杂讯强化器
摘要 一可获致良好强化特性的信号/杂讯强化器10包含有一静磁波元件30,此静磁波元件则包含一GGG基片32。一亚铁磁性基片的YIG薄膜34系被形成在该GGG基片32之一主表面上。该静磁波元件30系被设置在四个传感器16a到16d上。然后,一第一静磁波滤波器系由两传感器16a和16b、该静磁波元件30之一端部30a等所构成,以及一第二静磁波滤波器系由另两传感器16c和16d、该静磁波元件30之另一端部30b等所构成。
申请公布号 TW301808 申请公布日期 1997.04.01
申请号 TW085100844 申请日期 1996.01.23
申请人 放送协会;村田制作所股份有限公司 发明人 冈田刚和;金谷文夫;野本俊裕;新村悟;巿口真一郎
分类号 H01P1/218 主分类号 H01P1/218
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1. 一种信号/杂讯强化器,包括有:一第一静磁波滤波器,用以限制一输入信号内一主信号成分的振幅,此第一静磁波滤波器含一亚铁磁性基片;和一第二静磁波滤波器,用以通过该主信号成分而不对该主信号成分限幅,此第二静磁波滤波器含一亚铁磁性基片,该等第一和第二静磁波滤波器的亚铁磁性基片系形成一单体,其于第一和第二静磁波滤波器中静磁波的传播方向上系为长形。2. 如申请专利范围第1项所述信号/杂讯强化器,其中该第一静磁波滤波器包含两个传感器被设置在该单体的一侧上并彼此间隔开,该第二静磁波滤波器包含两个传感器被设置在该单体的另一侧上并彼此间隔开,其中该信号/杂讯强化器进而包含一静磁波吸收元件一方面被设置在该第一静磁波滤波器的两传感器之间,而另一方面被设置在该第二静磁波滤波器的两传感器之间,以使得由该等第一和第二静磁波滤波器于该单体中所产生的静磁波不会彼此干涉。3. 如申请专利范围第2项所述信号/杂讯强化器,其中该静磁波吸收元件系在该单体之纵长方向所量得之中间部的区域处接触到该单体。4. 一种信号/杂讯强化器,包括有:一分配器,用来将一输入信号分成一第一信号和一第二信号,各信号有一主信号成分和一杂讯成分;一组合器,用以在该等第一和第二信号已分别通过该等第一和第二信号路径之后,将第一和第二信号加以组合;位准调整机构,用以在该等第一和第二信号由该组合器加以组合之前,将第一和第二信号内杂讯成分的位准等化;以及相位调整机构,用以在该等第一和第二信号于该组合器中被加以组合之前,调整第一和第二信号内杂讯信号成分的相位,以使得其相位为彼此反向。5. 如申请专利范围第4项所述信号/杂讯强化器,其中该第一信号的主信号成分系于该第一静磁波滤波器中被加以限幅,以及该第二信号的主信号成分系概略未被该第二静磁波滤波器加以限幅。6. 如申请专利范围第5项所述信号/杂讯强化器,其中该单一个亚铁磁性基片于该等静磁波滤波器中静磁波的传播方向上系长形。7. 如申请专利范围第4项所述信号/杂讯强化器,其中该位准调整机构包含一第一衰减器被提供于该第二信号路径中位在一介于该分配器和该第二静磁波滤波器之间的位置,以及包含一第二衰减器被提供于该第二信号路径中位在一介于该第一静磁波滤波器和该分配器之间的位置。8. 如申请专利范围第7项所述信号/杂讯强化器,其中该相位调整机构包含一相移器被提供在该第二信号路径中介于该第二静磁波滤波器和该组合器之间。9. 一种信号/杂讯强化器,包括有:一第一混合线圈,用来将一输入信号分成第一和第二信号,此等第一和第二信号的相位在一广频宽中具有一第一相位差;第一和第二信号路径,分别用于该等第一和第二信号;该第一信号路径含有一第一静磁波滤波器,该第一信号系通过此第一静磁波滤波器;该第二信号路径含有一第二静磁波滤波器,该第二信号系通过此第二静磁波滤波器;该等第一和第二静磁波滤波器系形成在单一个亚铁磁性基片中;一第二混合线圈,用来在该等第一和第二信号已通过该等第一和第二信号路径之后,将第一和第二信号组合成在一广频宽中具有一第二相位差;以及位准调整机构,用以等化由该第二混合线圈所组合第一和第二信号内杂讯成分的位准;该第一相位差和该第二相位差的总和系为(2n+1)180度(n=0.1.2.3.…)。10. 如申请专利范围第9项所述信号/杂讯强化器,其中该位准调整机构包含有一第一衰减器被提供在该第二信号路径中介于该第一混合线圈和该第二静磁波滤波器之间,以及包含有一第二衰减器被提供在该第一信号路径中介于该第一静磁波滤波器和该第二混合线圈之间。图示简单说明:图1为一平面视图,显示出本发明之一较佳实施例;图2为一剖面视图,显示出图1中所示实施例的主要部分;图3为一平面视图,显示出本发明之另一实施例;图4为图3所显示实施例的前视图;图5为一平面视图,显示出用于图3所示实施例中一第一和一第二90度完全相同混合线圈之一主要部位;图6为一电路图,显示出用于图3所示实施例中一第一和一第二90度混合线圈之一主要部位;图7为图3所示实施例的电路图;以及
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