发明名称 乾蚀刻机中导引晶片下滑至下电极板之陶瓷环之构造
摘要 一种乾蚀刻机中导引晶片下滑至下电极板之陶瓷环之构造,包括:一底环;一位于该底环上方之壁环;以及复数个位于该壁环上方之斜角。其中,该些斜角包括:两个三角面、两个内侧小斜平面、内斜面、外斜面以及顶平面。
申请公布号 TW304626 申请公布日期 1997.05.01
申请号 TW085209634 申请日期 1996.06.26
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 郑朝元
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1. 一种乾蚀刻机中导引晶片下滑至下电极板之陶瓷环之构造包括:一底环;一位于该底环上方之壁环;以及复数个位于该壁环上方之斜角,其中,该些斜角包括:一第一三角面,该第一三角面垂直立于该壁环上方,一第二三角面,该第二三角面与该第一三角面平行,一第一内侧小斜平面,该第一内侧小斜平面连接该第一三角面一边,一第二内侧小斜平面,该第二内侧小斜平面连接该第二三角面一边,一内斜面,该内斜面连接该第一内侧小斜平面与该第二内侧小斜平面,一外斜面,该外斜面连接该第一三角面另一边与第二三角面另一边,以及一顶平面,该顶平面平行于该壁环且连接该第一三角面、该第二三角面、该第一内侧小斜平面、该第二内侧小斜平面、该内斜面和该外斜面。2. 如申请专利范围第1项所述之结构,其中该内斜面之底部约为2.0mm。3. 如申请专利范围第1项所述之结构,其中该外斜面之底部约为3.0mm。4. 如申请专利范围第1项所述之结构,其中该顶平面系一高约为0.6mm之梯型。5. 如申请专利范围第1项所述之结构,其中该壁环上方具备有十七个该些斜角。图示简单说明:第1图系由上前方以45度俯角观看传统陶瓷环之立体图。第2图系图1中之传统陶瓷环之正面视图。第3图系图1中之传统陶瓷环之上视图。第4图系依照第3图中之假想线范围Ⅳ内之部分放大图。第5图系由上前方以45度俯角观看,运用本创作之一较佳实施例之陶瓷环之立体图。第6图系图5中之陶瓷环之正面视图。第7图系图5中之陶瓷环之上视图。
地址 新竹科学工业园区工业东三路三号