积体电路之接触窗的蚀刻方法

摘要

本发明揭露了一种积体电路之接触窗的蚀刻方法（Contact Etching），所述接触窗的蚀刻方法系由【乾蚀刻/湿蚀刻/乾蚀刻】三个蚀刻步骤组成，由此【乾蚀刻/湿蚀刻/乾蚀刻】三个蚀刻步骤所形成的接触窗，除了提供平缓的接触窗形状外(Gentle Contact Profile)，同时，大幅缩小接触窗的开口(Opening)，使积体电路达到更高的集积度。

主权项

1. 一种积体电路之接触窗的蚀刻方法,系包含:形成一层【绝缘层】;利用微影技术(Optical Lithography)形成接触窗的光阻图案;利用电浆蚀刻技术对所述绝缘层进行【第一次乾蚀刻】,所述【第一次乾蚀刻】蚀去了【一部份厚度的绝缘层】;利用氢氟酸溶液(HF)对所述【绝缘层】进行湿蚀刻,所述【湿蚀刻】仅蚀去了【一部份厚度的绝缘层】;利用电浆蚀刻技术对所述【绝缘层】进行【第二次乾蚀刻】,所述【第二次乾蚀刻】将所述【光阻图案】覆盖以外区域之所述【绝缘层】蚀刻殆尽。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述【绝缘层】系指硼磷玻璃薄膜(Boro-PhosphoSilicate Glass;BPSG),刚完成沉积时之厚度介于4000到10000埃之间。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述【第一次乾蚀刻】之电浆蚀刻,可以在活性离子式(Reactive IonEtching;RIE)或磁场增强式活性离子式(MagneticEnhanced Reactive Ion Etching;MERIE),或电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance;ECR)之电浆蚀刻机器上施行。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述【第二次乾蚀刻】之电浆蚀刻,可以在活性离子式(Reactive IonEtching;RIE)或磁场增强式活性离子式(MagneticEnhanced Reactive Ion Etching;MERIE),或电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance;ECR)之电浆蚀刻机器上施行。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述之【湿蚀刻】,系于稀释氢氟酸溶液(Diluted HF)中施行。图示简单说明:图1到图4为先前技艺之横截面示意图,图5到图9为本发明之实施例的横截面示意图。图1是形成接触窗的光阻图案后的横截面示意图;图2是对【硼磷玻璃薄膜】进行湿蚀刻后的横截面示意图;图3是利用电浆蚀刻技术对所述【硼磷玻璃薄膜】进行乾蚀刻后的横截面示意图;图4去除光阻图案后的横截面示意图;图5是形成接触窗的光阻图案后的横截面示意图;图6是利用电浆蚀刻技术对所述硼磷玻璃薄膜进行【第一次乾蚀刻】后的横截面示意图;图7是对【硼磷玻璃薄膜】进行湿蚀刻后的横截面示意图;图8是利用电浆蚀刻技术对所述硼磷玻璃薄膜进行【第二次乾蚀刻】后的横截面示意图;