| 主权项 |
1. 一种闸阵列结构,包含:许多电晶体,互相连接为形成一二位元记忆体胞元;以及该许多电晶体之第一及第二互相连接电晶体分别设于闸阵列结构之相邻基极部位。2. 一种记忆体胞元,其占据一闸阵列之相邻基极部位,包含:一第一记忆体位元;一第二记忆体位元;以及一共用写入埠,耦合至该二记忆体位元。3. 一种记忆体胞元,其占据一闸阵列之相邻基极部位,包含:一第一记忆体位元;一第二记忆体位元;以及一共用读出埠,耦合至该二记忆体位元。4. 根据申请专利范围第3项之记忆体胞元,包括一耦合至上述二记忆体位元之读出埠。5. 根据申请专利范围第3项之记忆体胞元,包括一连接在上述位元与共用读出埠中间之多工器,及一对连接至该多工器,以选择性将任一上述位元连接至该共用读出埠之启动线。6. 根据申请专利范围第5项之记忆体胞元,其中上述诸启动线在闸阵列内水平延伸。图示简单说明:图1例示一种以来自二相邻闸阵列基极部位之电晶体,以习知方式所完成之单一双埠记忆体位元。图2例示一对根据本发明,使用来自二相邻闸阵列基极部位之电晶体所完成之双埠记忆体位元。 |
