降低铝铜孔道接面电阻之方法

摘要

本发明系关于一种降低铝铜孔道接面电阻之方法，尤指一种改良传统单次铝铜（ＡｌＣｕ后）金属沈积作业而致使铝铜金属与底层钛（Ｔｉ）金属之间产生三铝化钛（ＴｉＡｌ３）高阻抗复合物而导致孔道阻抗较高之缺陷下，而为一种两步骤之铝铜沈积方法，首先为在低温状态（１００℃以下）进行一铝铜金属沈积作业，其次，再进行高温之铝铜金属沈积，如此，藉第一沈积步骤之较低温状态，以防止前述高阻抗复合物之生成，获致降低孔道电阻之效果者。

主权项

1.一种降低铝铜孔道接面电阻之方法,包括:一溅镀形成下层金属之步骤;一沈积绝缘层之步骤;一挖开绝缘层而形成一与下层金属相通之孔道的步骤;一形成一钛金属之步骤;一为在金属溅度室之环境中,以低于100℃之晶片温度下,形成薄厚度铝铜金属之步骤;一为在金属之环境中,令晶片为在高温状态下,形成一较厚铝铜金属之步骤;及一形成薄厚度氮化钛抗反射层之步骤;藉上述两阶段之铝铜形成步骤,使钛金属与铝铜接面间不致产生高阻抗复合物者。2.如申请专利范围第1项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该低温之铝铜金属形成步骤中,使用之温度范围为在60-100℃者。3.如申请专利范围第1或2项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该低温之温度为在80℃为最佳者。4.如申请专利范围第1项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该第一步骤形成之铝铜厚度为在2000A者。5.如申请专利范围第1或4项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该第一步骤之铝铜作业时间约在15秒钟者。6.如申请专利范围第1项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该第二步骤形成之铝铜厚度为在4000A者。7.如申请专利范围第1或6项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该第二步骤之铝铜作业时间约在30秒钟者。8.如申请专利范围第1项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该钛层厚度约在1500A者。9.如申请专利范围第1项所述之降低铝铜孔道接面电阻之方法,其中该氮化钛之厚度约在250A者。图示简单说明:第一图:系本发明之制程剖面示意图。第二图:系习知制程之剖面示意图。