| 主权项 |
1.一种具有掩埋闸极之复晶矽电晶体的制法,包含下列步骤:a)于一n型单晶矽基板上形成一底层二氧化矽作为闸极氧化层;b)于该闸极氧化层上形成一层n型复晶矽;c)在该n型复晶矽层上形成一式样化光阻剂涂层,其中该n型复晶矽层的一部分表面被暴露;d)以该式样化光阻剂涂层为罩幕(mask)进行p型杂质的布植,使得该p型杂质穿过该被暴露的n型复晶矽层及该闸极氧化层,而在该n型单晶矽基板位于该被暴露的n型复晶矽层下方的位置形成一p型并作为一掩埋闸极;e)藉由选择性绝缘层沈积在该n型复晶矽层的被暴露表面上沈积一绝缘层;f)去除该式样化光阻剂涂层,并以该选择性沈积绝缘层为罩幕对该n型复晶矽层进行p型杂质的源极及汲极布植;及g)在该选择性沈积绝缘层及该n型复晶矽的暴露表面上全面沈积一中间二氧化矽绝缘层,于该中间二氧化矽绝缘层制作源极及汲极的接触孔并制作源极电极及汲极电极。2.如申请专利范围第1项的制法,其中步骤e)的选择性绝缘层沈积系选择性二氧化矽液相沈积。3.如申请专利范围第2项的制法,其中的选择性二氧化矽液相沈积系于一温度介于室温至55℃之二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液中进行0.5-50小时,该二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液具有0.5-4M氢氟矽酸浓度,以及进一步含有,以氢氟矽酸的莫耳数为基准,0-0.64莫耳%的硼酸。4.如申请专利范围第3项的制法,其中该二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液系将二氧化矽饱和的氢氟矽酸水溶液与水依体积比4:1至2:1的比例混合而制备,该二氧化矽饱和的氢氟矽酸水溶液系藉将一0.5-4M氢氟矽酸水溶液与过量的二氧化矽粉末混合,再将所获得的混合物中未溶的二氧化矽粉末滤除而制备。5.如申请专利范围第3项的制法,其中该二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液系将水及一硼酸水溶液添加于一二氧化矽饱和氢氟矽酸水溶液而制备,其中一4M氢氟矽酸水溶液与过量的二氧化矽粉末混合,再滤除所获得的混合物中未溶的二氧化矽粉末而制得二氧化矽饱和的氢氟矽酸水溶液,将水依水与该二氧化矽饱和氢氟矽酸水溶液的体积比为2.4:47.6的比例添加于该二氧化矽饱和氢氟矽酸水溶液再将此添加水的二氧化矽饱和氢氟矽酸水溶液与0.1M硼酸水溶液依体积比50.4至50:12的的比例混合。图示简单说明:图一a-一d为先前技艺中形成一具有掩埋闸极的复晶矽电晶体的部分流程示意图。图二a-二d为依照本发明来形成一具有掩埋闸极的复晶矽电晶体的部分流程示意图。 |
