热增强式薄塑料封装及其制法

摘要

一种半导体包装及其制法。该方法包含提供一使引出线框架(45)在相对于一半导体晶片(21)一段距离处定位之工具(41)之步骤。一半导体晶片(21)配置在该工具(41)上，该半导体晶片(21)具有一包含电子成份在其上之表面且其在垂直于该表面之方向上之厚度远小于其长度及宽度尺寸。一引出线框架(45)配置在该工具(41)上，其具有一基底部分及从基底部分伸展出来之引出线，且与该晶片(21)隔开，该引出线框架(45)从基底部分至引出线之厚度尺寸不大于晶片(21)之厚度。导线在引出线及晶片间熔接，导线与一部分之引出线框架系密封的。引出线框架(45)配置在工具(41)上的一空间中，此空间具有晶片表面为其一表面，且相对于前述表面有晶片表面作为相对的表面。导线具有足够之硬度以防止引出线框架移出该空间之外。

主权项

1.一种半导体包装,包含:(a)一具有一包含电子成分在其上之表面及一对立之表面之半导体晶片,该晶片在垂直于该表面之方向上之厚度远少于在长度和宽度之尺寸;(b)一具有一基底部分及从该基底部分伸展出来之引出线之引出线框架,该引出线框架被与该晶片隔开,该引出线框架从该基底部分至该引出线之厚度尺寸不大于该晶片之该厚度;(c)导线,在该引出线及该晶片间熔接;及(d)一密封物,封装该晶片、该导线及一部分该引出线框架。2.如申请专利范围第1项之包装,其中该引出线框架系配置在一空间中,该空间包含该晶片及包含在其对立之表面在一空间中,该空间包含该晶片及包含在其对立之表面之该表面。3.如申请专利范围第2项之包装,其中该导线具有足够之硬度以防止该引出线框架在制造该包装之期间移出该空间之外。4.一部分建构之半导体装置,包含:(a)一具有一包含电子成分在其上之表面及一对立之表面之半导体晶片,该晶片在垂直于该表面之方向上之厚度远少于在长度和宽度之尺寸;及(b)一具有一基底部分及从该基底部分伸展出来之引出线之引出线框架,该引出线框架被与该晶片隔开,该引出线框架从该基底部分至该引出线之厚度尺寸不大于该晶片之该厚度。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该引出线框架系配置在一空间中,该空间包含该晶片及包含在其对立之表面之该表面。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该导线具有足够之硬度以防止该引出线框架在制造该装置之期间移出该空间之外。7.一种制造半导体包装之方法,包含下列步骤:(a)提供一用于相对于一半导体晶片定位一引出线框架之工具,其中该引出线框架与该晶片隔开;(b)在该工具上配置一具有一包含电子成分在其上之表面及一对立之表面之半导体晶片,该晶片在垂直于该表面之方向上之厚度远少于在长度和宽度之尺寸;(c)在该工具上配置一具有一基底部分及从该基底部分伸展出来之引出线之引出线框架,该引出线框架被与该晶片隔开,该引出线框架从该基底部分至该引出线之厚度尺寸不大于该晶片之该厚度;(d)在该引出线及该晶片间熔接导线;及(e)封装该晶片、该导线及一部分该引出线框架。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该引出线框架系配置在一空间中,该空间包含该晶片及包含在其对立之表面之该表面。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该导线具有足够之硬度以防止该引出线框架在制造该包装之期间移出该空间之外。10.一种制造半导体包装之方法,包含下列步骤:(a)提供一用于相对于一半导体晶片定位一引出线框架之工具,其中该引出线框架与该晶片隔开;(b)在该工具上配置一具有一包含电子成分在其上之表面及一对立之表面之半导体晶片,该晶片在垂直于该表面之方向上之厚度远少于在长度和宽度之尺寸;(c)在该工具上配置一具有一基底部分及从该基底部分伸展出来之引出线之引出线框架,该引出线框架被与该晶片隔开,该引出线框架从该基底部分至该引出线之厚度尺寸不大于该晶片之该厚度;及(d)在该引出线及该晶片间熔接导线。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该引出线框架系配置在一空间中,该空间包含该晶片及包含在其对立之表面之该表面。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该导线具有足够之硬度以防止该引出线框架在制造该包装之期间移出该空间之外。图示简单说明: 图一系一0.5毫米厚之半导体装置及使用习知技术之制造技术所制造包装之示意图; 图二系一0.5毫米厚之半导体装置及依照本发明所制造之包装之示意图; 图三a系一用于本发明之工具的顶视图,在其上配置有一引出线框架条状物;及 图三b系一沿着图三a中之三b-三b之剖视图。