埋窗的制造方法

摘要

本发明是一种埋窗的制造方法，特别是利用磊晶金属矽化物当作与源极／汲极连接的材质，使此埋窗能适用于互补式金氧半电晶体的制作。制造方法如下：首先在一已具有闸极氧化层的矽基底上，形成一多晶矽层。接着，利用微影和蚀刻制程形成一开口，并进行掺杂以形成一埋窗扩散区。之后，在多晶矽层及埋窗扩散区上依序形成一钛金属层和一氮化钛层。最后，以加热制程使钛金属层反应形成磊晶矽化钛层，并利用微影和蚀刻制程形成一埋窗。

主权项

1.一种埋窗的制造方法,包括下列步骤:a.在一已形成有一闸极氧化层的矽基底上,形成一多晶矽层;b.在预定的位置形成一开口,以暴露出该矽基底表面;c.在暴露出的该矽基底中形成一埋窗扩散区;d.依序形成一钛金属层和一氮化钛层;e.利用加热制程使该钛金属层形成一磊晶矽化钛层;以及f.定义该氮化钛层与该钛金属层,在该开口中形成一埋窗。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d中该钛金属层系利用磁控直流溅镀法所形成,使用气体为氩气。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d中该氮化钛层系利用反应性溅镀法所形成,使用气体为氮气和氩气。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤e中该矽化钛层系利用快速加热制程所形成。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中在步骤e中该快速加热制程使用温度约是750℃。图示简单说明: 第一a-一c图是习知一种埋窗之制造流程剖面图;以及 第二a-二c图是根据本发明之一较佳实施例,一种埋窗的制造流程剖面图。