| 主权项 |
1.一种具有一层间接点构造的半导体元件,该层间接点构造系在一下导电层与一上导电层之间,在该下导电层中,一第一导电层和一第一矽化物层系被堆积,而在该上导电层中,一掺有杂质的第二导电层和一第二矽化物层系被堆积,其中该第一和第二导电层系彼此直接接触。2.如申请专利范围第1项所述之具有一层间接点构造的半导体元件,其中该第一和第二导电层皆是由包含非结晶质矽和复晶矽之组群中所选择的一种材料制造而成。3.如申请专利范围第2项所述之具有一层间接点构造的半导体元件,其中,该第一和第二矽化物层皆系由包含矽化钨(WSi2)、矽化钛(TiSi2)、矽化钼(MoSi2)和矽化钽(TaSi2)之组群中所选择的一个制造而成。4.一种制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,包含如下之步骤:(a)形成一下导电层,在该下导电层中,一第一导电层和一第一矽化物层靠堆积该第一矽化物层在该第一导电层上而被堆积;(b)形成一层间绝缘层在该具有该下导电层之合成层的整个表面上;(c)藉由部份蚀刻该层间绝缘层而形成一接触孔;(d)部份蚀刻该经由该接触孔而被暴露的该第一矽化物层;(e)形成一掺杂有杂质的第二导电层在该完成蚀刻步骤(d)的合成层上;及(f)形成一上导电层,在该上导电层中,一第二导电层和一第二矽化物层靠堆积该第二矽化物层在该第二导电层上而被堆积。5.如申请专利范围第4项所述之制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,其中该第一和第二导电层皆是由包含非结晶质矽和复晶矽之组群中所选择的一种材料制造而成。6.如申请专利范围第5项所述之制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,其中,该第一和第二矽化物层皆系由包含矽化钨(Wsi2)、矽化钛(TiSi2)、矽化钼(MoSi2)和矽化钽(TaSi2)之组群中所选择的一对材料制造而成。7.如申请专利范围第6项所述之制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,其中,该等杂质系从包含磷离子和砷离子之组群中选择出来。8.如申请专利范围第4项所述之制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,其中,该步骤(d)系利用等向蚀刻法来被执行。9.如申请专利范围第8项所述之制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,其中,该等向蚀刻法是一种使用含有NH4OH、H2O2和H2O之蚀刻剂的湿蚀刻法。10.如申请专利范围第8项所述之制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,其中,该等向蚀刻法是使用Cl2/SF6气体的乾蚀刻法。11.如申请专利范围第4项所述之制造具有层间接点构造之半导体元件的方法,其中,在该步骤(d)期间,该第一矽化物层系被蚀刻直到该第一导电层系被暴露。图示简单说明: 第一A至一D图是描绘一种制造具有层间接点构造之半导体元件之习知方法的截面图; 第二图是显示数个使用该习知层间接点构造之取样晶元之接触电阻分布特性的图表; 第三图是显示在退火之前和之后,于该习知层间接点构造中之杂质分布的图表; 第四图是显示根据本发明之第一较佳实施例所制造之一种具有层间接点构造之半导体元件的截面图; 第五A至五E图是描绘本发明之第一较佳实施例之一种制造具有层间接点构造之半导体元件之方法的截面图; 第六A和六B图是描绘本发明之第二较佳实施例之一种制造具有层间接点构造之半导体元件之方法的截面图;及第七图是显示两个使用本发明之第一较佳实施例之层间接点构造之取样晶元之接触电阻分布特性的图表。 |
