发明名称 MOSFET-STRUKTUR MIT VERMINDERTER STEUERELEKTRODENKAPAZITÄT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
摘要
申请公布号 DE69126521(T2) 申请公布日期 1997.09.25
申请号 DE1991626521T 申请日期 1991.01.22
申请人 QUIGG, FRED L., THOUSAND OAKS, CALIF., US 发明人 QUIGG, FRED L., THOUSAND OAKS, CALIF., US
分类号 H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/423 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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