平面转印型积体电路封装基板之形成方法

摘要

本发明系关于一种平面转印型积体电路封装基板之形成方法，尤指一种以金属片取代ＢＴ树脂而提供降低基板成本与同时提高散热能力，并运用电镀转印，获致细线路之效果，且各基板于制程作业为先经单片裁切制作，于去除不良品后，于后续再透过形成胶边而使多数基板连接成长条形式，更可免除传统整条基板之局部晶片损坏而致使整条报废之问题，此法包括在铜片上形成单面线路之镀镍铜步骤、去除乾膜与压合绝缘层及压合金属片之步骤、蚀刻去除铜片之步骤、单面覆绿漆之步骥、冲孔或挖孔之步骤、选择性附加散热片之步骤、形成挡胶圈及外胶环之步骤以及植晶打线、封胶、植锡球等步骤。

主权项

1.一种平面转印型积体电路封装基板之形成方法,包括:-单面线路电镀之步骤,为在铜片上经覆乾膜与电镀形成朝上突起之线路电镀层;-去除乾膜之步骤;-依序对铜片上表面进行压合一绝缘层及一金属片之步骤;-蚀刻去除位在下方之铜片,而使前述形成之线路电镀层外露之步骤;-为在该线路电镀层外露之区域覆盖绿漆之步骤;-为在中央进行挖孔之步骤,而形成可供容纳晶片之缺口的步骤;-为在外环及对应于该缺口外围位置形成外护环及挡胶圈之步骤;-相应于该缺口位置植入晶片及打线之步骤;-对该凹陷缺口进行封胶填平之步骤;及-对未覆盖绿漆之部位焊接锡球之步骤者。2.如申请专利范围第1项所述之平面转印型积体电路封装基板之形成方法,其中该制成之各个内含晶片之封装基板,可经检验与良品后,再经胶边连结成长条型式者。3.如申请专利范围第1项所述之平面转印型积体电路封装基板之形成方法,其中该挖孔之步骤亦可由冲孔方式取代,并更包括为在表面附加散热片之步骤者。4.如申请专利范围第1项所述之平面转印型积体电路封装基板之形成方法,其中该形成线路电镀层为镍、铜、锡等材料叠合而成者。5.如申请专利范围第1项所述之平面转印型积体电路封装基板之形成方法,其中该绝缘层Tg(玻璃态转化温度)大于170℃之环氧树脂、聚烯亚胺或双顺丁烯二醯抱亚胺-三 (BT树脂)者。图示简单说明:第一图:系本发明之方法步骤示意图。第二图:系将多数晶片封装制作长条形式之俯视图。第三图:系传统封装方法步骤之示意图。