| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:形成一第一接线;形成一绝缘膜在第一接线上;形成一第二接线或电极在与第一接线接触之绝缘层上;和使用一接触部份分割第一接线。2.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:形成一第一接线;形成一绝缘膜在第一接线上;形成一导电材料在与第一接线接触之绝缘层上;和经由一接触部份分割第一接线。3.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:当形成一多层接线时,藉由使用上层接线或电极之定图样以分割一下层接线。4.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:当形成一多层接线时,藉由使用在一上层接线或电极上形成之开口而分割一下层接线。5.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:形成一薄膜电晶体之一闸电极和由构成闸电极之材料所制成之一接线;形成一第一绝缘膜以覆盖闸电极和接线;形成开口到达薄膜电晶体之一源极区域和在第一绝缘膜中之接线之一部份;形成一电极和/或一接线与源极区域接触,和一虚拟电极与接线之一部份接触;形成一第二绝缘膜覆盖电极和/或接线,该电极和/或接线与源极区域和虚拟电极接触;形成一开口到达薄膜电晶体之一汲极区域,和一开口到达在第一绝缘膜和第二绝缘膜中之虚拟电极;和形成与汲极区域接触之一电极和/或一接线,并移去虚拟电极和一部份的接线。6.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:形成一薄膜电晶体之一闸电极,和由构成闸电极之材料所制成之一接线;形成一第一绝缘膜覆盖闸电极和接线;形成开口到达薄膜电晶体之一源极区域,和在第一绝缘膜中之接线之一部份;形成一电极和/或一接线以接触源极区域,和一虚拟电极以和接线之一部份接触;形成一第二绝缘膜覆盖电极和/或接线,该电极和/或接线与源极区域和虚拟电极接触;和形成与汲极区域接触之一电极和/或接触,并移去虚拟电极和接线之一部份。7.如申请专利范围第5或6项之半导体装置之制造方法,其中接线电连接薄膜电晶体之闸电极至汲极区域。8.如申请专利范围第5或6项之半导体装置之制造方法,进一步包含之步骤:在形成闸电极之后,形成一阳极氧化膜在闸电极之一曝露表面上,其中接线使用以供应一电流在阳极氧化上。9.如申请专利范围第5或6项之半导体装置之制造方法,进一步包含之步骤为:以一形成一BM(黑矩阵)之树脂材料充填由移去虚拟电极而形成之一开口。10.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:形成一第一接线在一绝缘器之表面上;形成一第一绝缘膜在第一接线上;在第一接线欲分割之一部份上,在第一绝缘膜中形成一开口;在和第一接线接触之开口中,形成一金属部份;形成一第二绝缘膜覆盖金属部份;形成一开口在第二绝缘膜中,以曝露金属部份;形成一导电膜,该导电膜形成在第二绝缘膜上之一电极;和在定图样导电膜时,移去金属部份和在金属部份下之第一接线。11.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:形成一闸电极和一闸接线,和由制成闸电极和闸接线之相同材料制成之一接线;在形成步骤之后,形成一第一绝缘膜;形成一开口在第一绝缘膜中,和与接线接触之一金属部份;形成一第二绝缘膜覆盖金属部份;形成一开口到达在第二绝缘膜中之金属部份;形成一图素电极在第二绝缘膜上;和当定图样图素电极时,经由开口移去金属部份,且进一步移去在金属部份下之接线以分割该接线。图示简单说明:第一(A)图至第一(D)图为一活性矩阵型液晶显示装置之制造步骤之图;第二(A)图至第二(C)图为一活性矩阵型液晶显示装置之制造步骤图;第三(A)图至第三(C)图为一活性矩阵型液晶显示装置之制造步骤图;第四图为一活性矩阵型液晶显示装置之制造步骤图;第五图为沿第三图(B)之线A-A'所截取之截面图;第六图为活性矩阵型电路之顶视图;第七(A)图至第七(B)图为接线之形状之例之图;第八(A)图至第八(D)图为活性矩阵型液晶显示装置之制造步骤图;第九(A)图至第九(C)图为活性矩阵型液晶显示装置之制造步骤图;第十(A)图至第十(B)图为活性矩阵型液晶显示装置之制造步骤图;第十一图为活性矩阵型液晶显示装置之生产步骤之图;第十二(A)图至第十二(B)图为习知薄膜电晶体之制造步骤之图。 |
