| 主权项 |
1.一种SRAM,其具有以位元线进行定址的复数个SRAM记忆胞,该些SRAM记忆胞包括有:一高参考电位接触与一低参考电位接触;一电荷储存节点;一下拉电晶体连接至该电荷储存节点与该低参考电位接触,该下拉电晶体具有一源极,一汲极与一下拉电晶体闸电极;以及一派通电晶体连接至该电荷储存节点与一条位元线,该派通电晶体具有一源极,一汲极与一派通电晶体闸电极,派通电晶体闸电极具有一下表面,其比该下拉电晶体的闸电极之下表面被弯曲到达更大的程度。2.如申请专利范围第1项所述之SRAM,其中该派通电晶体闸电极的下缘系以比该下拉电晶体闸电极的下缘为高的位置被设置于一基底的表面之上。3.如申请专利范围第2项所述之SRAM,其中该派通电晶体闸电极的下缘系以足够的高度被设置于该基底的表面之上,使相较于一个具平坦下电极的派通电晶体所产生的电场其能改变该派通电晶体一通道区内所形成的电场达一足够量,用以改变该派通电晶体的互导。4.如申请专利范围第2项所述之SRAM,其中该派通电晶体闸电极的下缘系被举升离开该派通电晶体的通道区部份的基底表面,其举升之程度大于在该派通电晶体闸电极的下表面之中心部份。5.一种SRAM,其具有以位元线所定址的复数个SRAM记忆胞,该些SRAM记忆胞包括有:一高参考电位接触与一低参考电位接触;一电荷储存节点;一下拉电晶体连接至该电荷储存节点与该低参考电位接触,该下拉电晶体具有一源极,一汲极与一下拉电晶体闸电极;以及一派通电晶体连接至该电荷储存节点与一条位元线,该派通电晶体具有一源极,一汲极,一通道与一派通电晶体闸电极,该派通电晶体闸电极具有一装置可在该派通电晶体的通道区内产生一特定构形的电场,其中所产生的该电场在通道区内紧接着派通电晶体的源极与汲极之处被减低强度。6.一种制作SRAM之方法,其步骤包含:提供一基底与形成于该基底上的导线,其中一第一导线形成于一下拉电晶体的通道区之上,而一第二导线形成于一派通电晶体的通道区之上;以一种保护该第一导线免受氧化的方式遮蔽该第一导线;以及将该第二导线曝露于一氧化环境之中,而该第一导线则被遮蔽,以使该第一与第二导线具有不同的横截面构形。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一与第二导线的至少一个下方部份系为掺杂复晶矽。图示简单说明:第一图显示本发明一特定实施例之电路图。第二图为第一图中所示SRAM的一个段落之局部剖视图。第三图与第四图为局部剖视图用以显示制作第二图中之元件的流程。 |
