| 主权项 |
1.一种积体电路输入端之静电放电保护装置,置于一积体电路输入端和一内部电路输入端之间,该静电放电保护装置包括:一电阻,其端点分别连接至该积体电路输入端和该内部电路输入端;以及一场元件,该场元件具有汲极、源极、第一闸极和第二闸极,该场元件之汲极和源极分别耦接至该积体电路输入端和该积体电路之低电压源,该第一闸极耦接至该场元件之汲极,该第二闸极耦接至该场元件之源极。2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中,该电阻系为该积体电路上之扩散电阻。3.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中,该场元件系为形成于一场氧化物之金氧半电晶体,该场氧化物做为该金氧半电晶体之闸极氧化层。4.如申请专利范围第3项所述之静电放电保护装置,其中包括一第一金属层和一第二金属层,该第一金属层具有导线段,用以分别接触该场元件之源极和汲极,但不覆盖于该场氧化物之上,该第二金属层则覆盖于该场氧化物之上,构成该第一闸极和该第二闸极,并透过该第一金属层分别耦接至该场元件之汲极和源极。5.如申请专利范围第4项所述之静电放电保护装置,其中,该电阻系为该积体电路上之扩散电阻。6.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置,其中尚包括:一半导体元件,耦接于该内部电路输入端和该积体电路之低电压源之间,藉以加速触发该场元件为开启状态。7.如申请专利范围第6项所述之静电放电保护装置,其中,该半导体元件为不具有淡掺杂汲极结构之金氧半电晶体。8.如申请专利范围第6或7项所述之静电放电保护装置,其中,该场元件系为形成于一场氧化物之金氧半电晶体,该场氧化物做为该金氧半电晶体之闸极氧化层。9.如申请专利范围第8项所述之静电放电保护装置,其中包括一第一金属层和一第二金属层,该第一金属层具有导线段,用以分别接触该场元件之源极和汲极,但不覆盖于该场氧化物之上,该第二金属层则覆盖于该场氧化物之上,构成该第一闸极和该第二闸极,并透过该第一金属层分别耦接至该场元件之汲极和源极。10.如申请专利范围第9项所述之静电放电保护装置,其中,该电阻系为该积体电路上之扩散电阻。11.一种积体电路输入端之静电放电保护装置,置于一积体电路输入端和一内部电路输入端之间,该静电放电保护装置包括:一电阻,其端点分别连接至该积体电路输入端和该内部电路输入端;一第一场元件,该第一场元件具有汲极、源极、第一闸极和第二闸极,该第一场元件之汲极和源极分别耦接至该积体电路输入端和该积体电路之高电压源,该第一场元件之第一闸极耦接至该第一场元件之汲极,该第一场元件之第二闸极耦接至该第二场元件之源极;以及一第二场元件,该第二场元件具有汲极、源极、第一闸极和第二闸极,该第二场元件之汲极和源极分别耦接至该积体电路输入端和该积体电路之低电压源,该第二场元件之第一闸极耦接至该第一场元件之汲极,该第二场元件之第二闸极耦接至该第二场元件之源极。12.如申请专利范围第11项所述之静电放电保护装置,其中,该电阻系为该积体电路上之扩散电阻。13.如申请专利范围第11项所述之静电放电保护装置,其中,该第一场元件系为形成于场氧化物上之金氧半电晶体,其中该场氧化物做为该金氧半电晶体之闸极氧化层。14.如申请专利范围第13项所述之静电放电保护装置,其中包括一第一金属层和一第二金属层,该第一金属层具有导线段,用以分别接触该第一场元件之源极和汲极,但不覆盖于该场氧化物之上,该第二金属层则覆盖于该场氧化物之上,构成该第一闸极和该第二闸极,并透过该第一金属层分别耦接至该第一场元件之汲极和源极。15.如申请专利范围第11项所述之静电放电保护装置,其中,该第二场元件系为形成于场氧化物上之金氧半电晶体,其中该场氧化物做为该金氧半电晶体之闸极氧化层。16.如申请专利范围第15项所述之静电放电保护装置,其中包括一第一金属层和一第二金属层,该第一金属层具有导线段,用以分别接触该第二场元件之源极和汲极,但不覆盖于该场氧化物之上,该第二金属层则覆盖于该场氧化物之上,构成该第一闸极和该第二闸极,并透过该第一金属层分别耦接至该第二场元件之汲极和源极。17.如申请专利范围第14或16项所述之静电放电保护装置,其中,该电阻系为该积体电路上之扩散电阻。18.如申请专利范围第11项所述之静电放电保护装置,其中尚包括:一半导体元件,耦接于该内部电路输入端和该积体电路之低电压源之间,藉以加速触发该第一场元件和该第二场元件为开启状态。19.如申请专利范围第18项所述之静电放电保护装置,其中,该半导体元件为不具有淡掺杂汲极结构之金氧半电晶体。20.如申请专利范围第18项所述之静电放电保护装置,其中,该第一场元件系为形成于场氧化物上之金氧半电晶体,其中该场氧化物做为该金氧半电晶体之闸极氧化层。21.如申请专利范围第20项所述之静电放电保护装置,其中包括一第一金属层和一第二金属层,该第一金属层具有导线段,用以分别接触该第一场元件之源极和汲极,但不覆盖于该场氧化物之上,该第二金属层则覆盖于该场氧化物之上,构成该第一闸极和该第二闸极,并透过该第一金属层分别耦接至该第一场元件之汲极和源极。22.如申请专利范围第21项所述之静电放电保护装置,其中,该电阻系为该积体电路上之扩散电阻。23.如申请专利范围第18项所述之静电放电保护装置,其中,该第二场元件系为形成于场氧化物上之金氧半电晶体,其中该场氧化物做为该金氧半电晶体之闸极氧化层。24.如申请专利范围第23项所述之静电放电保护装置,其中包括一第一金属层和一第二金属层,该第一金属层具有导线段,用以分别接触该第二场元件之源极和汲极,但不覆盖于该场氧化物之上,该第二金属层则覆盖于该场氧化物之上,构成该第一闸极和该第二闸极,并透过该第一金属层分别耦接至该第二场元件之汲极和源极。25.如申请专利范围第24项所述之静电放电保护装置,其中,该电阻系为该积体电路上之扩散电阻。图示简单说明:第一图为习知CMOS积体电路中一种ESD保护装置之电路图。第二图为第一图之ESD保护装置之场元件,在积体电路中之侧视剖面图。第三图为习知CMOS积体电路中另一种ESD保护装置之电路图。第四图为第三图之ESD保护装置之场元件,在积体电路中之侧视剖面图。第五图为本发明ESD保护装置之第一实施例之电路图。第六图为本发明ESD保护装置之第二实施例之电路图。第七图为本发明中场元件在第一闸极区域之侧视剖面图。第八图为本发明中场元件在第二闸极区域之侧视剖面图。 |
