| 主权项 |
1.一种利用选择性化学气相沈积法(selectivechemicalvapor deposition)之制造方法,包括:形成一开口于基板上;依序沈积氧化物层及氮化物层;施行离子布植,以形成通道阻绝层;蚀去开口底部之氮化物层及氧化物层;沈积一多晶矽层于开口中;施行热氧化;去除基板表面之氮化物层;2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中开口的形成,系利用选择性离子蚀刻法(RIE)。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中开口的形成,系利用电浆蚀刻法(plasma etchihg)。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中氧化物层及氮化物层的形成方法,系利用常压化学气相沈积法(APCVD)。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中氧化物层及氮化物层的形成方法,系利用电浆加强化学气相沈积法(PECVD)。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中开口底部之氮化物层及氧化物层,系利用选择性离子蚀刻法去除。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中开口底部之氮化物层及氧化物层,系利用电浆蚀刻法去除。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中多晶矽层,系利用选择性化学气相沈积法(selective chemicalvapor deposition)而形成。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中基板表面之氮化物层,系利用选择性离子蚀刻法去除。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中基板表面之氮化物层,系利用电浆蚀刻法去除。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中离子布植,是以和源极及汲极电性相反之离子植入。图示简单说明:第一A-一E图为本发明各步骤之剖面示意图。 |
