| 主权项 |
1.一种形成沟渠隔离的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,并在该半导体基底上依序形成一缓冲氧化层与一研磨阻止层;第一次定义该研磨阻止层,该缓冲氧化层与该半导体基底,以形成至少一第一沟渠;第二次定义该研磨阻止层,该缓冲氧化层与该半导体基底,以形成至少一第二沟渠,其中该第一沟渠之宽度与该第二沟渠之宽度不同,并且较宽的沟渠具有较浅之深度;形成一氧化层,使之填满该第一沟渠与该第二沟渠;利用化学机械研磨法,去除部份该氧化层与部份该研磨阻止层以形成一平坦表面;以及去除该研磨阻止层与该缓冲氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一沟渠较该第二沟渠窄,并且该第一沟渠之深度较该第二沟渠深。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一沟渠的深度约大于0.6Tm。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二沟渠的宽度约大于1.0Tm,其深度约小于0.6Tm。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一沟渠较该第二沟渠宽,并且该第一沟渠之深度较该第二沟渠浅。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一沟渠的宽度约大于1.0Tm,其深度约小于0.6Tm。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二沟渠的深度约大于0.6Tm。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该缓冲氧化层系以热氧化法形成,其温度约在600℃-1250℃之间。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该缓冲氧化层的厚度约从0.01Tm到5Tm。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该研磨阻止层的材质为复晶矽。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该研磨阻止层的厚度约从0.05Tm到5Tm。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该研磨阻止层的材质为氮化矽。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层系以次气压气相沈积法所形成。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层系以四乙氧基矽甲烷/臭氧为反应气体所形成。15.一种形成沟渠隔离的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,并在该半导体基底上依序形成一缓冲氧化层、一研磨阻止层以及一罩幕氧化层;第一次定义该罩幕氧化层,该研磨阻止层,该缓冲氧化层与该半导体基底,以形成至少一第一沟渠;第二次定义该罩幕氧化层,该研磨阻止层,该缓冲氧化层与该半导体基底,以形成至少一第二沟渠,其中该第一沟渠之宽度与该第二沟渠之宽度不同,并且较宽的沟渠具有较浅之深度;去除该罩幕氧化层;形成一氧化层,使之填满该第一沟渠与该第二沟渠;利用化学机械研磨法,去除部份该氧化层与部份该研磨阻止层以形成一平坦表面;以及去除该研磨阻止层与该缓冲氧化层。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第一沟渠较该第二沟渠窄,并且该第一沟渠之深度较该第二沟渠深。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第一沟渠的深度约大于0.6Tm。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二沟渠的宽度约大于1.0Tm,其深度约小于0.6Tm。19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第一沟渠较该第二沟渠宽,并且该第一沟渠之深度较该第二沟渠浅。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该第一沟渠的宽度约大于1.0Tm,其深度约小于0.6Tm。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该第二沟渠的深度约大于0.6Tm。22.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该缓冲氧化层系以热氧化法形成,其温度约在600℃-1250℃之间。23.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该缓冲氧化层的厚度约从0.01Tm到5Tm。24.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该研磨阻止层的材质为复晶矽。25.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该研磨阻止层的厚度约从0.05Tm到5Tm。26.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该研磨阻止层的材质为氮化矽。27.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该罩幕氧化层系以化学气相沈积法所形成。28.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该氧化层系以次气压气相沈积法所形成。29.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该氧化层系以四乙氧基矽甲烷/臭氧为反应气体所形成。图示简单说明:第一A图到第一E图显示以一传统制程形成沟渠隔离之剖面示意图。第二A图到第二G图显示以本发明之一较佳实施例形成沟渠隔离之制程剖面示意图。 |
