| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,针对于减压自如的处理室内,对向于上部电极和下部电极加以配置,经由高频电力之供给,于前述上部电极和下部电极间产生电浆,对于前述下部电极上的被处理基板施以处理之电浆处理装置,其特征系位于前述上部电极或下部电极之至少一方之周边部的绝缘构件之内部中,埋设具有高热传导率的传导构件者。2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中,于前述绝缘构件内部之传导构件之前述上部电极侧,形成真空层者。3.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中,前述传导构件以选自任一之由铝,多结晶矽、及氮化硼所成群加以构成者。图示简单说明:第一图系显示有关本发明第1发明之第1形态之蚀刻装置构成的说明图。第二图系显示示于第一图蚀刻装置之上侧绝缘构件和下侧绝缘构件之位置关系要部扩大图。第三图系显示适用示于第一图蚀刻装置中之上侧绝缘构件之其他形态要部扩大图。第四图系显示于适用示于第一图蚀刻装置中之上侧绝缘构件一部分,形成观察电浆用之窗构成的上侧绝缘构件要部扩大图。第五图系显示于第四图之上侧绝缘构件的斜视图。第六图系显示于适用示于第一图蚀刻装置中之上侧绝缘构件下面,形成观察电浆用之缺口部构成的上侧绝缘构件要部扩大图。第七图系显示于第六图之上侧绝缘构件的斜视图。第八图系显示可适用示于第一图蚀刻装置之下面为平坦之斜面形状之上侧绝缘构件形态的要部扩大图。第九图系显示可适用示于第一图蚀刻装置之下面为筒状之上侧绝缘构件形态的要部扩大图。第十图系显示有关本发明第1发明之第2形态之蚀刻装置构成的说明图。第十一图系显示示于第十图之蚀刻装置之屏蔽环和外侧聚焦环之位置关系的要部扩大图。第十二图系显示示于第十图之蚀刻装置之屏蔽环和外侧聚焦环之距离关系的说明图。第十三图系显示可使用于本发明之屏蔽环和外侧聚焦环之其他形态之例的说明图。第十四图系显示有关本发明第2发明之蚀刻装置构成的说明图。第十五图系示于第十四图之蚀刻装置之屏蔽环附近的要部扩大图。第十六图系显示于示于第十四图之蚀刻装置之传毫构件之背面侧,设置真空层之情形的说明图。第十七图系显示于示于第十四图之蚀刻装置之外侧聚焦环内部,将传导构件气密性封入之情形的说明图。第十八图系显示有关本发明实施形态4之蚀刻装置构成的说明图。第十九A图系说明经由爆发熔射令氧化铝系陶瓷层形成于石英构件的方法之图。第十九B图系经由爆发熔射形成于石英构件上的氧化铝系陶瓷层的截面图。第二十图系显示有关本发明之实施形态4之蚀刻装置的其他构成之说明图。 |
