| 主权项 |
1.一种具有多数方块(1)的光罩(120),每个方块有至少一个孔隙,而电子束穿越该等方块(1)中一被选取者的该至少一个孔隙并且直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该光罩(120)其特征在于包含:能阻挡该电子束的板(120);以及在该板(120)上形成该样式用的诸微矩形区域(4),每个微矩形区域(4)含有穿透该板(120)而形成的诸微孔隙(3)之一,该等微孔隙(3)之一的该孔隙具有比该等微矩形区域(4)中相对应者更小的面积大小,其中该等微孔隙(3)的总面积大小比预定的大小更小。2.如申请专利范围第1项之光罩(120),其特征在于该样式包括一或多个将该样式分割并具有在x方向与y方向延伸的边之矩形部份(L1,L2),该一或多个矩形部份(L1,L2)在该x方向与该y方向被分割成一或多个该微矩形区域(4)。3.如申请专利范围第2项之光罩(120),其特征在于该一或多个矩形部份(L1,L2)之一内的该等微孔隙(3)的面积大小彼此相同。4.如申请专利范围第3项之光罩(120),其特征在于该等微孔隙(3)是矩形的,在该一或多个矩形部份(L1,L2)之一内于该x方向有相同的边长并且于该y方向有相同的边长。5.如申请专利范围第3项之光罩(120),其特征在于该等微孔隙(3)是具有在该x方向与该y方向延伸的边之矩形,在该等微孔隙(3)之间的梁之宽度对该x方向与该y方向是相同的,并且在该一或多个矩形部份(L1,L2)之一内是相同的。6.如申请专利范围第1项之光罩(120),其特征在于该等微孔隙(3)之间的梁之宽度比预定的宽度更宽。7.如申请专利范围第1项之光罩(120),其特征在于该等微孔隙(3)之间的梁之宽度比2m更宽。8.一种生成具有多数个方块(1)的光罩(120)之方法,每个方块有至少一个孔隙,而电子束穿越该等方块(1)中一被选取者的该至少一个孔隙并且直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该方法其特征在于包含诸步骤:a)在能阻挡该电子束的板(120)上定义形成该样式用的诸微矩形区域(4);以及b)生成穿透该板(120)的微孔隙(3)使得该等微矩形区域(4)中每一个有相对应的诸孔隙(3),该等微孔隙(3)中每一个具有比该等微矩形区域(4)中相对应者更小的面积大小,其中该等微孔隙(3)的总面积大小比预定的大小更小。9.如申请专利范围第8项之方法,其特征在于该步骤a)包含诸步骤:a1)将该样式分割成一或多个具有在x方向与y方向延伸的边之矩形部份(L1,L2);以及a2)藉由在该x方向与该y方向将该一或多个矩形部份(L1,L2)分割成一或多个该微矩形区域(4),定义该等该微矩形区域(4)。10.如申请专利范围第9项之方法,其特征在于该一或多个矩形部份(L1,L2)之一内的该等微孔隙(3)的面积大小彼此相同。11.如申请专利范围第10项之方法,其特征在于该等微孔隙(3)是矩形的,在该一或多个矩形部份(L1,L2)之一内于该x方向有相同的边长并且于该y方向有相同的边长。12.如申请专利范围第10项之方法,其特征在于该等微孔隙(3)是具有在该x方向与该y方向延伸的边之矩形,在该等微孔隙(3)之间的梁之宽度对该x方向与该y方向是相同的,并且在该一或多个矩形部份(L1,L2)之一内是相同的。13.如申请专利范围第8项之方法,其特征在于该步骤b)生成该等微孔隙(3),使得在该等微孔隙(3)之间的梁之宽度比预定的宽度更宽。14.如申请专利范围第8项之方法,其特征在于该步骤b)生成该等微孔隙(3),使得在该等微孔隙(3)之间的梁之宽度比2m更宽。15.如申请专利范围第8项之方法,其特征在于当该一或多个矩形部份(L1,L2)之一具有比预定长度更短的边时,该步骤a)定义具有与该一或多个矩形部份(L1,L2))中该矩形部份的该边相同的边长之该等微矩形区域(4);以及该步骤b)生成具有与该一或多个矩形部份(L1,L2)中该矩形部份的该边相同的边长之该等微孔隙(3)。16.如申请专利范围第15项之方法,其特征在于该预定长度为20m。17.一种藉由使用具有多数个方块(1)的光罩(120)而使晶圆曝光于电子束之方法,每个方块有至少一个孔隙,而电子束穿越该等方块(1)中一被选取者的该至少一个孔隙并且直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该方法其特征在于包含诸步骤:a)在能阻挡该电子束的板(120)上定义形成该样式用的诸微矩形区域(4);b)藉由形成穿透该板(120)的微孔隙(3)而生成该光罩(120),使得该等微矩形区域(4)中每一个有相对应的微孔隙(3),该等微孔隙(3)中每一个具有比该等微矩形区域(4)中相对应者更小的面积大小;以及c)使晶圆曝光于穿过该等微孔隙(3)的该电子束,其中穿过该等微孔隙(3)后该电子束的总电流量比预定的电流量更小。18.如申请专利范围第17项之方法,其特征在于该步骤c)使该晶圆曝光于穿过该等微孔隙(3)的该电子束持续了参考时间长度的A/B倍时间长度,该A为该样式的面积大小,该B为该等微孔隙(3)的总面积大小,该参考时间长度为当使用穿过具有该样式之形状与大小的孔隙之该电子束时,该晶圆适合被曝光的时间长度。19.一种藉由使用具有多数个方块(1)的光罩(120)而供晶圆曝光于电子束用的装置,每个方块有至少一个孔隙,而电子束穿越该等方块(1)中一被选取者的该至少一个孔隙并且直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该装置其特征在于包含:产生该电子束用的电子束产生单元(114);以及具有形成该样式用的微矩形区域(4)之光罩(120),该等微矩形区域(4)中每一个含有诸微孔隙(3)之一,该等微孔隙(3)中该孔隙具有比该等微矩形区域(4)中相对的应者更小的面积大小,其中穿过该等微孔隙(3)后该电子束的总电流量比预定的电流量更小。20.如申请专利范围第19项之装置,其特征在于当该电子束的该总电流量为该预定的电流量时,库仑交互作用是可忽略的。21.一种使晶圆曝光于电子束的方法,使用具有各自有至少一孔隙的多数个方块(10,20)之光罩(120),电子束穿过该等方块(10,20)中一被选取者的该至少一孔隙并直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该方法其特征在于包含诸步骤:a)藉由采用该等方块(10,20)之一的该至少一孔隙中最可能曝光不足的第一孔隙(11,21)为参考,决定该等方块(10,20)之一的曝光量;b)当该曝光量使该其它孔隙(12,22)过度曝光时,将第一梁(13,23)插入该至少一孔隙中的其它孔隙(12,22)中,使得穿过具有第一梁(13,23)的其它孔隙(12,22)之电子束有适当的电流量;以及以该曝光量使晶圆曝光而于其上形成该样式。22.如申请专利范围第21项之方法,其特征在于该等第一梁(13,23)的宽度对该等其它孔隙(12,22)于该晶圆上的投影样式具有可忽略的影响。23.如申请专利范围第22项之方法,其特征在于该等第一梁(13,23)的宽度在0.02m与0.06m之间的范围内。24.如申请专利范围第21项之方法,其特征在于更包括诸步骤:d)当穿过该第一孔隙(11,21)以及具有该等第一梁(13,23)的该等其它孔隙(12,22)之该电子束的该电流量比预定量更大时,将第二梁(13,14,23,24)插入该第一孔隙(11,21)以及具有该等第一梁(13,23)的该等其它孔隙(12,22)以降低该电子束的电流量;以及e)决定曝光时间,使得该电子束之该电流量给予该样式适当的曝光量。25.如申请专利范围第24项之方法,其特征在于当该电流量少于该预定量时,库仑交互作用是可忽略的。26.如申请专利范围第24项之方法,其特征在于该步骤e)根据该第一孔隙(11,21)以及该等其它孔隙(12,22)的总面积大小来决定该曝光时间。27.如申请专利范围第24项之方法,其特征在于更包含诸步骤:f)产生每一方块(10,20)用的曝光讯息资料,该曝光讯息资料用以表示该等第一梁(13,23)与该等第二梁(13,14,23,24)是否出现;以及g)产生每一方块(10,20)用的曝光量修正资料,该曝光量修正资料系用以在该晶圆上以适当的曝光量生成相对应的样式,其中该步骤c)藉由使用该曝光讯息资料以及该曝光量修正资料,使该晶圆曝光而于其上形成该样式。28.一种使晶圆曝光于电子束的方法,使用具有各自有至少一孔隙(11,12,21,22)的多数个方块(10,20)之光罩(120),电子束穿过该等方块(10,20)中一被选取者的该至少一孔隙(11,12,21,22)并直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该方法其特征在于包含诸步骤:a)将梁(13,14,23,24)插入该等方块(10,20)中至少一方块的该至少一孔隙(11,12,21,22)中至少一孔隙内;b)产生每一方块(10,20)用的曝光讯息资料,该曝光讯息资料用以表示该等梁(13,14,23,24)是否出现;c)产生每一方块(10,20)用的曝光量修正资料,该曝光量修正资料系用以在该晶圆上以适当的曝光量生成相对应的样式;以及d)藉由使用该曝光讯息资料以及该曝光量修正资料,以该适当的曝光量使该晶圆曝光而于其上形成该样式。29.如申请专利范围第28项之方法,其特征在于更包含步骤f)根据该等方块(10,20)中相对应者的该至少一孔隙(11,12,21,22)之总面积大小而决定每一方块(10,20)的该适当曝光量。30.如申请专利范围第28项之方法,其特征在于更包含步骤f)事先得到在适当的曝光量以及被插入具有预定宽度的一孔隙(11,12,21,22)的该等梁(13,14,23,24)之尺寸与数目之间的关系。31.一种使晶圆曝光于电子束的装置,使用具有各自有至少一孔隙的多数个方块(10,20)之光罩(120),电子束穿过该等方块(10,20)中一被选取者的该至少一孔隙并直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该装置其特征在于包含:藉由采用该等方块(10,20)之一的该至少一孔隙中最可能曝光不足的第一孔隙(11,21)为参考,决定该等方块(10,20)中该方块之曝光量用的装置;当该曝光量使其它孔隙(12,22)过度曝光时,将第一梁(13,23)插入该至少一孔隙中的该等其它孔隙(12,22)中用的装置,使得穿过具有该第一梁(13,23)的该等其它孔隙(12,22)之该电子束有适当的电流量;以及以该曝光量使该晶圆曝光而于其上形成该样式用的装置。32.如申请专利范围第31项之装置,其特征在于该等第一梁(13,23)的宽度对该等其它孔隙(12,22)于该晶圆上的投影样式具有可忽略的影响。33.如申请专利范围第32项之装置,其特征在于该等第一梁(13,23)的宽度在0.02m与0.06m之间的范围内。34.如申请专利范围第31项之装置,其特征在于更包含:当穿过该第一孔隙(11,21)以及具有该等第一梁(13,23)的该等其它孔隙(12,22)之该电子束的电流量比预定量更大时,将第二梁(13,14,23,24)插入该第一孔隙(11,21)以及具有该等第一梁(13,23)的该等其它孔隙(12,22)用的装置,以降低该电子束的该电流量;以及决定曝光时间而使得该电子束之该电流量给予该样式适当的曝光量用的曝光时间决定装置。35.如申请专利范围第34项之装置,其特征在于当该电流量少于该预定量时,库仑交互作用是可忽略的。36.如申请专利范围第34项之装置,其特征在于该曝光时间决定装置包含根据该第一孔隙(11,21)与该等其它孔隙(12,22)的总面积大小而决定该曝光量的装置。37.如申请专利范围第34项之装置,其特征在于更包含:产生每一方块(10,20)的曝光讯息资料之装置,该曝光讯息资料用以表示究竟该等第一梁(13,23)与该等第二梁(13,14,23,24)中至少一个是否出现;以及产生每一方块(10,20)的曝光量修正资料之装置,该曝光量修正资料系用于在该晶圆上以适当的曝光量生成相对应的样式,其中藉由使用该曝光讯息资料以及该曝光量修正资料,该曝光装置使该晶圆曝光而于其上形成该样式。38.一种使晶圆曝光于电子束的装置,使用具有各自有至少一孔隙(11,12,21,22)的多数个方块(10,20)之光罩(120),电子束穿过该等方块(10,20)中一被选取者的该至少一孔隙(11,12,21,22)并直射至晶圆以便在该晶圆上形成样式,该装置其特征在于包含:将梁(13,14,23,24)插入该等方块(10,20)中至少一方块的该至少一孔隙(11,12,21,22)中至少一孔隙用的装置;产生每一方块(10,20)用的曝光讯息资料之装置,该曝光讯息资料用以表示该等梁(13,14,23,24)是否出现;产生每一方块(10,20)用的曝光量修正资料之装置,该曝光量修正资料系用以在该晶圆上以适当的曝光量生成相对应的样式;以及藉由使用该曝光讯息资料以及该曝光量修正资料,以该适当的曝光量使该晶圆曝光而于其上形成该样式用的装置。39.如申请专利范围第38项之装置,其特征在于更包含根据该等方块(10,20)中相对应者的该至少一孔隙(11,12,21,22)的总面积大小而决定每一方块(10,20)的该适当曝光量用的装置。40.如申请专利范围第38项之装置,其特征在于更包含用以事先得到在适当的曝光量以及被插入具有预定宽度的一孔隙(11,12,21,22)中该等梁(13,14,23,24)之尺寸与数目之间的关系之装置。图示简单说明:第一图是传统技术之方块曝光型式的电子束曝光装置例的方块图;第二A与二B图是显示具有不同面积大小的孔隙之方块例的说明图;第三图是显示一方块以及方块内孔隙样式之说明图,用以解释关于第一图之电子束曝光装置中曝光量调整之问题;第四A与四B图是用以解释本发明第一主旨的说明图;第五图是依据本发明第一主旨的第一实施例而生成微孔隙样式以及藉由使用微孔隙样式使晶圆曝光之加工流程图;第六图是显示均匀地分割为所得数目之矩形区域的说明图;第七图是显示依据本发明第一主旨的第一实施例所生成之微孔隙的说明图;第八图是依据本发明第一主旨的第二实施例所生成微孔隙样式以及藉由使用微孔隙样式使晶圆曝光之加工流程图;第九图是依据本发明第一主旨的第三实施例而生成微孔隙样式之加工流程图;第十A与十B图是显示在第一主旨的第三实施例中插入梁所用之准则的说明图;第十一A与十一B图是显示本发明第二主旨的说明图;第十二是根据本发明图第二主旨的第一实施例之梁插入以及曝光量调整之曝光加工的流程图;第十三A至十三C图是显示插入梁的样式之例子的说明图;第十四图是显示用以解释第二主旨的第一实施例之另一例的资料表的图表;以及第十五图是依据本发明第二主旨的第二实施例之梁插入与曝光量调整用的资料产生程序之流程图。 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