发明名称 改良之半导体元件制法
摘要 在一框基材上进行成形制程而形成一个导线框,将一半导体晶片固定在形成于导线框上的导线上,并在该半导体晶片上加设接线,然后形成一个可容纳该半导体晶片的封装;在该成形制程之前,在该框基材上要形成导线的位置上施用非导电性的黏着剂,并将该基材和该非导电性黏着剂中没有的部份在该成形制程中加以去除掉,而形成具有预定形状并设有黏着剂的导线。
申请公布号 TW324852 申请公布日期 1998.01.11
申请号 TW086100911 申请日期 1997.01.28
申请人 富士通股份有限公司 发明人 藤泽哲也
分类号 H01L21/52 主分类号 H01L21/52
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种半导体元件制法,包含有下列步骤:在一基材上进行成形制程而形成一个导线框;将一半导体晶片固定至形成于导线框上的导线上,并在该半导体晶片上加设接线;以及形成一个可容纳该半导体晶片的封装,其中在该成形制程之前,在该基材上要形成导线的位置上施用非导电性的黏着剂,以及将该基材和该非导电性黏着剂中没用的部份在该成形制程中加以去除掉,而形成具有预定形状并设有该黏着剂的导线。2.根据申请专利范围第1项之半导体元件制法,其中该非导电性黏着剂是设置在该等导线之末端要形成的位置处,以使得在导线形成后,该黏着剂仍能选择性地保留在导线的末端上。3.根据申请专利范围第1项之半导体元件制法,其中该基材的没用部份是以冲压制程或是蚀刻制程之一者加以去除掉的。4.一种半导体元件制法,包含有下列步骤:在一基材上进行成形制程而形成一个导线框;将一半导体晶片固定至形成于导线框上的导线上,并在半导体晶片上加设接线;以及形成一个可容纳该半导体晶片的封装,其中至少在该要供电路形成于其上之半导体晶片的电路区域上形成一层保护膜,接着将该半导体晶片利用该保护膜固定至该等导线上。5.根据申请专利范围第4项之半导体元件制法,其中该保护膜是由包含有下列步骤的方法所形成的:在该半导体晶片的电路区域上形成一个遮罩,其上设有对应于该电路区域的穿孔;将液化的保护膜材料施用至设置在该遮罩上的穿孔内;将该保护膜材料加以硬化而形成该保护膜;以及将该遮罩自该半导体晶片上移走。6.根据申请专利范围第4项之半导体元件制法,其中该遮罩是一种多层结构的遮罩,包含有一基底膜、一黏着层、一隔离膜,以所述的顺序自顶端依序向下排列。7.根据申请专利范围第4项之半导体元件制法,其中该保护膜材料是以分配器或喷洒器之一者加以施用至该等穿孔内的。8.根据申请专利范围第5项之半导体元件制法,其中该遮罩是制做成能自一个供应卷轮移动至一个拾取卷轮,以及依序进行下列三个制程,a)一种在该遮罩移动时将该液化保护膜材料施用至该等穿孔内的制程;b)一种形成该保护膜的制程;以及c)一种将该遮罩自该半导体晶片上移走的制程。9.一种半导体元件制法,包含有下列步骤:在一基材上进行成形制程而形成一个导线框;将一半导体晶片固定至形成于导线框上的导线上,并在该半导体晶片上加设接线;以及形成一个可容纳该半导体晶片的封装,其中至少在该等导线上面对着该半导体晶片的区域内上形成一层保护膜,接着将该半导体晶片利用该保护膜固定至该等导线上。10.根据申请专利范围第9项之半导体元件制法,其中该保护膜是藉着将该等导线浸入一个充满着液化保护膜材料的保护膜材料槽内而设置至该等导线上的。11.根据申请专利范围第9项之半导体元件制法,其中在该等导线的每一者上均设有一个下置部份,而该保护膜则是形成在该下置部份上。图示简单说明:第一A图显示出习用技艺之由非导电性黏着剂所构成的黏着性膜。第一B图显示出习用技艺之由模切法切割成预定大小的黏着性膜。第二图显示出习用技艺中如何将一片黏着性膜贴附至导线框的导线上。第三图显示出习用技艺中如何以一遮罩来将黏着剂印刷至导线框上。第四图显示出习用技艺中形成在遮罩上对应于导线之位置上的穿孔。第五图显示出习用技艺中使用遮罩来将黏着剂正确地施用至导线上。第六图显示出习用技艺中利用橡胶刷板来将保护膜印刷至半导体晶片上。第七图显示出习用技艺中形成在半导体晶片上的保护膜。第八图显示出由第六图和第七图中之方法所制成的半导体元件。第九图显示出根据本发明第一个实施例来印刷黏着剂。第十图显示出在根据第一实施例所进行之印刷作业完成后时所得到的框基材。第十一图显示出根据第一实施例在框基材的表面上形成银(Ag)膜。第十二图显示出根据第一实施例以冲孔法所制成之具有导线和系杆的导线框。第十三图显示出根据第一实施例的晶片接着制程。第十四图显示出根据第一实施例的接线制程。第十五图显示出根据第一实施例的封装制程。第十六图是由根据第一实施例之方法所制成之半导体元件的剖面图。第十七图显示出根据本发明第二实施例来形成遮罩。第十八图显示出根据第二实施例来将遮罩固着至晶圆上。第十九图显示出根据第二实施例来将保护膜材料滴入至遮罩上的穿孔内。第二十图显示出根据第二实施例来硬化保护膜材料。第二一图显示出遮罩自晶圆上剥取下来的状态。第二二A图和第二二B图显示出根据第二实施例制做出来的半导体晶片。第二三图显示出根据第二实施例的保护膜成形装置。第二四图显示出施用第二实施例的半导体元件。第二五图显示出施用第二实施例的另一种半导体元件。第二六图显示出施用第二实施例的再另一种半导体元件。第二七图显示出根据第三实施例来供在导线上设置保护膜的方法。第二八图显示出根据第三实施例来供在导线上设置保护膜的另一种方法。第二九图显示出根据第三实施例制做成的导线框。
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