用硝酸先前处理矽晶片方法

摘要

本发明中，采用硝酸先前处理法协助晶片表面沉积二氧化矽，与电浆化学沉积氧化膜、热氧化膜、常压化学沉积氧化膜比较，发现硝酸先前处理法拥有较快速度沉积二氧化矽，此膜具较低地的内应力，较小的介电常数与非常均匀等优点。

主权项

1.一种用硝酸先前处理矽晶片之方法,其系包括将矽晶片放置于三氯乙烷(TCE)溶液中,经振荡后放置于丙酮(ACE)溶液、纯水清洗,以浓硫酸溶液、浓硝酸溶液煮过;经纯水、氢氟酸(HF:H2O=1:10)溶液、纯水交替洗净,最后放置于浓硝酸溶液(约70℃)煮三分钟中,而后立即将矽晶片放置液相沉积二氧化矽之生长槽中进行生长。图示简单说明:第一图比较四种样本进行液相沉积二氧化矽之成长第二图于壕沟结构中进行液相沉积二氧化矽之沉积1小时,该壕沟外以Si3N4为面罩第三图折射率与沉积时间之关系第四图三寸晶圆厚度与折射率之均匀度