发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명은, 반도체 소자 상에 형성되는 배선의 접속성의 제품 수율을 향상하고, 지지판에 반도체 소자를 마운트 할 때에 고정밀도가 요구되지 않는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 반도체 장치에 대해, 지지판과 지지판 상에 재치되고, 복수의 제1 전극이 형성된 회로 소자면을 갖는 반도체 소자와 반도체 소자의 회로 소자면을 피복하고, 복수의 제1 전극을 노출하는 복수의 제1 개구를 갖는 제1 절연층과, 지지판의 상부와 제1 절연층이 형성된 반도체 소자의 측부를 피복하는 제2 절연층과, 제1 절연층 및 제2 절연층의 상부에 접하여 형성되고, 복수의 제1 전극과 전기적으로 접속되는 배선층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명과 관련되는 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 열적 스트레스에 의한 지지판의 휘어짐을 경감하여 배선의 접속성의 제품 수율을 향상시키고, 개구 형성시에 요구되는 고도의 반도체 소자의 마운트 정밀도가 불필요해지는 반도체 장치를 제조할 수 있다.
申请公布号 KR101676047(B1) 申请公布日期 2016.11.14
申请号 KR20110020890 申请日期 2011.03.09
申请人 가부시키가이샤 제이디바이스 发明人 마루타니, 히사카즈;이와미, 야스나리;치카이, 도모시게;다카하시, 도모코;야마가타, 오사무;미츠기, 신고;친, 소코
分类号 H01L23/16;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/00;H01L25/065 主分类号 H01L23/16
代理机构 代理人
主权项
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