| 主权项 |
1.一种形成内含一种或以上抗微生物金属之抗微生物物质之方法,该方法包括:令内含一种或以上抗微生物金属之物质于限制扩散以保留其内原子紊乱之条件下产生原子紊乱,以提供至少一种金属原子,离子,分子或群簇以相对于正常顺序结晶状态物质之加强速率持续释放至醇或水为基底之电解质中;和以低直线能量转移型式之辐射作用照射物质,以足够提供局部抗微生物功效之浓度释放至少一种抗微生物金属。2.mbox如申请专利范围第1项之方法,其中抗微生物金属为选自Ag,Au,Pt,Pd,Ir,Sn,Cu,Sb,Bi,Zn,其合金及其化合物。3.如申请专利范围第2项之方法,其中物质为一种或以上抗微生物金属之粉末或箔,且其中之原子紊乱为以粉末或箔之冷操作所形成。4.如申请专利范围第3项之方法,其中物质为毫微结晶粉末。5.如申请专利范围第2项之方法,其中物质为藉由蒸气沈积作用,以于沈积作用期间限制扩散和沈积作用后限制韧化或再结晶之条件下,于受质上形成一覆被物。6.如申请专利范围第5项之方法,其中物质为以真空蒸发,溅射,磁子溅射或离子电镀而形成。7.如申请专利范围第6项之方法,其中抗微生物物质为一种组成覆被物,其形成系藉由将抗微生物金属共同,后续或反应性地沈积至一具有不同物质之原子或分子之基质上,使得原子紊乱于基质中产生,该被沈积不同物质,其一种或以上成员选自由蒸气沈积作用之氛围吸收或捕捉于基质上之氧,氮,氢,硼,硫或卤素;为抗微生物金属之氧化物,氮化物,碳化物,硼化物,卤化物,硫化物或氢化物;及惰性生物可容性金属选自Ta,Ti,Nb,V,Hf,Zn,Mo,Si,和Al之氧化物,氮化物,碳化物,硼化物,卤化物,硫化物或氢化物。8.如申请专利范围第7项之方法,其中抗微生物金属为银且该不同物质为氧化银和含氧之原子或分子之一者或两者,由蒸气沈积作用之氛围吸收或捕捉于基质上。9.如申请专利范围第5项之方法,其中覆被物为藉由在使得将覆被之表面温度对于将沈积抗微生物物质熔点之比率为低于约0.5,且操作气压为大于约1.3Pa(10mT)之条件下以磁子溅射所形成。10.如申请专利范围第7项之方法,其中覆被物为藉由在使得将覆被之表面温度对于将沈积抗微生物物质熔点之比率为底于约0.5,且操作气压为大于约1.3Pa(10mT)之条件下以磁子溅射所形成。11.如申请专利范围第8项之方法,其中覆被物为藉由在使得将覆被之表面温度对于将沈积抗微生物物质熔点之比率为低于约0.5,且操作气压为大于约1.3Pa(10mT)之条件下以磁子溅射所形成。12.如申请专利范围第1,3或6项任一项之方法,其中辐射作用之型式为选自,和X-射线。13.如申请专利范围第1,3或6项任一项之方法,其中辐射作用之来源为辐射,使用大于约1Mrad之剂量。14.如申请专利范围第1,3或6项任一项之方法,其中被照射之抗微生物物质为实质上位于垂直于进入的辐射作用之方向。15.如申请专利范围第1,3或6项任一项之方法,其中物质于照射作用中为置于邻近于介电物质处。16.如申请专利范围第1,3或6项任一项之方法,其中物质于照射作用中为夹层于氧化矽表面间。17.一种于醇或水为基底之电解质中产生抗微生物功效之方法,包括:(a)mbox制备一银物质,其于与醇或水为基底之电解质接触下可形成不同于Ag+,Ag2+或Ag3+,Ag(OH)-2,Ag2(OH)-3,Ag3(OH)-4之错合银离子,其量为使得与乙醇或水为基底之电解质接触中产生大于等量银如Ag+所产生之抗微生物功效;和(b)令此银物质与欲处理之醇或电解质接触,以引起错合银离子之释放。18.mbox如申请专利范围第17项之方法,其中银物质于与醇或水为基底之电解质接触中形成一种或以上之错合银离子Ag(CN)-2, AgCN(aq)(离子配对),Ag(NH3)+2,AgCl2-,和Ag(S2O3)2 3-。19.如申请专利范围第18项之方法,其中银物质被制成内含一种或以上错合银离子之粉末,溶液或悬浮液。20.如申请专利范围第17项之方法,其中银物质为细颗粒或毫微结晶粉末。21.如申请专利范围第17项之方法,其中银物质为被制成于医学装置上之抗微生物覆被物。22.如申请专利范围第17项之方法,其中银物质为被制成于局部抗微生物组成物制剂中所使用之粉末。23.mbox如申请专利范围第17mbox项之方法,其中银物质与醇或电解质接触中形成一种或以上之错合银离子Ag(CN)-2, AgCN(aq)(离子配对),及Ag(NH3)+2。24.一种可于醇或水为基底之电解质中产生抗微生物效果之抗微生物形式之银物质,其包含呈粉末、溶液或悬浮液形式之银物质含有非Ag+, Ag2+, Ag3+,Ag(OH)-2, Ag2(OH)-3, Ag3(OH)-4之银错合离子,当与醇或水为基质之电解质相接触时其份量所产生之抗微生物效果系优于等量银如Ag+所产生之抗微生物效果。25.如申请专利范围第24项所述之物质,其中银物质包括一或多种银错合离子Ag(CN)-2, AgCN(aq)(离子对),Ag(NH3)+2, AgCl2-,和Ag(S2 O3)2 3-。26.一种制备细颗粒抗微生物物质之方法,包括:将呈粉末形式之一或多种抗微生物金属于不同物质之原子或分子之基质中,藉蒸气沈积于一冷基材上,以提供颗粒度少于200nm且具原子紊乱之物质,使得该粉末于与醇或水为基底之电解质接触中,以足以供应局部抗微生物功效之浓度来持续释放至少一种抗微生物金属之离子,原子,分子或群簇至醇或水为基底之电解质中,其中不同物质为选自生物可容性金属,氧,氮,氢,硼,硫,卤素和抗微生物金属或生物可容性金属一者或两者之氧化物,氮化物,碳化物,硼化物,硫化物和卤化物。27.如申请专利范围第26项之方法,其中抗微生物金属为选自Ag, Au, Pt,Pd, Ir, Sn, Cu, Sb, Bi和Zn或一种或以上此等金属之合金或化合物,且其中生物可容性金属为选自Ta, Ti, Nb, B, Hf, Zn, Mo, Si和Al或一种或以上此等金属之合金或化合物。28.如申请专利范围第26项之方法,其中抗微生物金属为选自Ag, Au和Pd,且其中生物可容性金属为选自Ta,Ti和Nb。29.如申请专利范围第28项之方法,其中氧为于蒸气沈积作用中被包含于操作气氛中,使得氧之原子或分子为被捕捉或吸收于基质中。30.如申请专利范围第29项之方法,其中被沈积之抗微生物金属为实质纯银金属或氧化银且其中氧可被包含于操作气氛中,使得沈积物质包括实质纯银金属,和氧化银和被捕捉或吸收之氧原子或分子之一者或两者。31.如申请专利范围第26,27或28项任一项之方法,其中物质为被沈积成颗粒大小低于约140nm之细颗粒粉末。32.如申请专利范围第26,27或28项任一项之方法,其中物质为被沈积成毫微结晶粉末。33.如申请专利范围第26,27或28项任一项之方法,其中物质为被沈积成颗粒大小低于约20nm的毫微结晶。 |
