发明名称 温度控制电路及半导体积体电路
摘要 本发明系关于温度控制电路者,特别系,有关能够抑制由动作速度和使用环境的变化之基片温度的变动之CMOS构成的温度控制电路。其课题,系在提供不需要另外设置冷却装置等,而在使用环境变化和电路动作速度变化时,能够迅速且安定地控制基片温度,并且不会引起误动作,能够在很短旳应答时间进行温度控制之温度控制电路及半导体积体电路。温度控制电路将根据具有以分别有不同的温度-电阻特性之多数元件所构成的温度察觉器(10,40,80),和由输入该温度察觉器之输出电压,依前述输出电压控制消费电流的控制电路(20,50,70),由温度察觉器之输出控制在控制电路的发热量而控制温度。该温度控制电路能够在同一基板上构成,做为温度特性优异之半导体积体电路。
申请公布号 TW329045 申请公布日期 1998.04.01
申请号 TW086108889 申请日期 1997.06.25
申请人 东芝股份有限公司 发明人 小林宪史
分类号 G01K7/00 主分类号 G01K7/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种温度控制电路,其特征为,具有:以分别有不同的温度-电阻特性之多数元件构成的温度察觉器;及根据输入该温度察觉器之输出电压,按照前述输出电压控制消费电流的控制电路,之温度控制电路。2.如申请专利范围第1项的温度控制电路,其中,前述温度察觉器,系由串联连接在电源和接地间之MOSFET与电阻构成者。3.如申请专利范围第1项的温度控制电路,其中,前述控制电路系以将前述温度察觉器之输出共通地输入闸极,而把源极,汲极连接在电源和接地间的多数之MOSFET构成。4.如申请专利范围第3项的温度控制电路,其中,前述多数之MOSFET为一导电型,而在此等各一导电型MOSFET连接经常成为闭合的逆导电型MOSFET者。5.如申请专利范围第2项的温度控制电路,其中,前述MOSFET为闸宽度各异,以所定之选择信号导通的多数之MOSFET并联连接者。6.一种半导体积体电路,其特征为,在同一基板上具有:以有分别不同的温度-电阻特性之多数的元件构成之温度察觉器;及根据输入该温度察觉器的输出电压,按照前述输出电压控制消费电流之控制电路。图示简单说明:[第一图]为显示本发明的第1实施形态之电路图。[第二图]为显示在第一图的温度察觉器之特性的图表。[第三图]为显示在第一图之温度控制电路的动作特性之图表。[第四图]为显示本发明第2实施形态之电路图。[第五图]为显示在第四图的温度察觉器之特性的图表[第六图]为显示在第四图之温度控制电路的动作特性之图表。[第七图]为显示本发明的第3实施形态之电路图。[第八图]为显示关于本发明的第4实施形态之温度察觉器的电路图。[第九图]为显示以第八图之构成根据选择信号使做为温度察觉器的闭合电阻变化之情况的图表。[第十图]为显示使第八图所示之温度察觉器的输出之变化范围根据选择信号变化的情况之图表。
地址 日本