定义介层窗图案的方法

摘要

一种定义介层窗图案的方法，其特点在于利用一薄的罩幕层涂布在介电层表面，利用罩幕层和介电层之间有较佳的蚀刻比，可作为作为定义介层窗图案时的罩幕。如此一来便可利用较薄的光阻层来定义罩幕层的图形，取代知需使用厚的光阻层造成光阻经微影后解析度不佳的缺点，如此可得到较佳的光阻外型并增加光阻图案的解析度。同时在进行介层窗的蚀刻时，蚀刻剂会和罩幕层反应形成聚合物层，以保护罩幕层不会被蚀刻。此外罩幕层还可作为元件后续的阻障金属层之用。

主权项

1.一种定义介层窗图案的方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,其上形成有至少一金氧半元件,且在该金氧半元件表面裸露一介电层;(b)在该介电层表面形成一罩幕层;(c)在该罩幕层表面涂布一光阻层;(d)定义该光阻层之图案,之后以该光阻层为罩幕,去除该罩幕层,形成一开口,露出该介电层;(e)以该罩幕层与该光阻层为罩幕,同时去除该光阻层与该介电层,形成介层窗,并在该罩幕层表面形成一聚合物层;以及(f)去除该聚合物层,露出该罩幕层,完成该介层窗的制造。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该罩幕层系为-Si层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该罩幕层系为TiN/Ti层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(c)中之该光阻层厚度约为2000-5000A。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)中之该去除该介电层系利用高密度电浆。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)中之该去除该介电层系利用电磁反应性离子蚀刻法。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该步骤(f)之后更包括:(g)在该罩幕层表面形成一Ti/TiN层;以及(h)进行快速热氮化反应,使该罩幕层与该Ti金属反应,在该介电层表面形成一金属矽化物层。图示简单说明:第一A-一B图是习知一种定义介层窗图案的方法;以及第二A-二F图是依照本发明一较佳实施例,一种定义介层窗图案的方法。