| 主权项 |
1.一种积体电路装置,包含:一基体;一第一电路形成于该基体上,其中该第一电路执行一机能;一第二电路形成于该基体上,该第二电路被电气式地连接于该第一电路及控制该第一电路之该机能;以及一塑模化合物包住该基体、该第一电路与该第二电路,该塑模化合物具有一相关的电容,其中该相关电容系被该第二电路使用以控制该第一电路之该机能。2.如申请专利范围第1项所述之积体电路装置,其中该基体为一矽基体。3.如申请专利范围第1项所述之积体电路装置,其中该基体为一砷化镓基体。4.如申请专利范围第1项所述之积体电路装置,其中该第二电路在回应于去除至少一部分该塑模化合物所造成的相关电容变化下,藉由改变该第一电路之该机能而控制该第一电路之机能。5.如申请专利范围第4项所述之积体电路装置,其中该第二电路藉由使该第一电路失能而控制该第一电路之该机能。6.如申请专利范围第4项所述之积体电路装置,其中该第二电路包括:一基准电容器,具有与该塑模化合物相关电容独立的一预选之电容;以及一检测电路被连接于该基准电容器,其中该预选电容与该塑模化合物之相关电容被该检测电路加以比较,以检测一部分该塑模化合物之去除,且该检测电路在回应于检测该塑模化合物之去除下改变该第一电路之该机能。7.如申请专利范围第1项所述之积体电路装置,其中一钝化层被置于该塑模化合物与该第一电路、该第二电路、及该基体之间。8.如申请专利范围第1项所述之积体电路装置,其中该第二电路包含:一第一电晶体,具有一源极、一汲极与一闸,其中该源极被连接于一下方源极电压及该汲极被连接于该相关电容;一第二电晶体,具有一源极、一汲极与一闸,其中该闸被连接于该第一电晶体之汲极,该源极被连接于一下方源极电压、及该汲极被连接于该第一电晶体之闸,其中在该汲极之一电压控制该第一电路之该机能;一基准电容器被连接于该第二电晶体之汲极;一第一电阻器,具有一第一端部被连接于该第一电晶体之汲极,及一第二端部被连接于一上方源极电压;以及一第二电阻器,具有一第一端部被连接于该第二电晶体之汲极,及一第二端部被连接于该上方源极电压。9.如申请专利范围第8项所述之积体电路装置,其中该第一电晶体与该第二电晶体为绝缘闸场效应装置。10.如申请专利范围第8项所述之积体电路装置,进一步包含一失能填衬被连接于该第一电晶体之汲极。11.如申请专利范围第8项所述之积体电路装置,进一步包含一失能电路,包括:一输入填衬;一移位暂存器,具有一输入被连接于该输入填衬与数个输出;以及一布尔编码器,具有数个输入被连接于由该移位暂存器来之数个输出与一输出被连接于该第一电晶体之汲极,其中该布尔编码器之输出控制该第一电晶体与该第二电晶体。12.一种积体电路装置,包含:一第一积体电路元件,该第一积体电路元件执行一所欲的机能;一塑模化合物包住该第一积体雷路元件,其中一电容被配以该塑模化合物;以及一第二积体电路元件被包在该塑模化合物内,其中该第二积体电路元件被连接于该第一积体电路元件并检测因去除一部份该塑模化合物之结果所造成的电容变化,且在回应于检测至少一部分该塑模化合物之去除下改变该第一积体电路元件之该所欲的电路机能。13.如申请专利范围第12项所述之积体电路系统,其中一钝化层平置于该塑模化合物与该第一积体电路及该第二积体电路之间。14.如申请专利范围第13项所述之积体电路系统,其中该第二积体电路元件藉由使该第一积体电路元件失能而改变该所欲之电路机能。15.如申请专利范围第12项所述之积体电路系统,进一步包含一第三积体电路元件且其中该第二积体电路元件藉由使该第三积体电路元件失能而改变该所欲之机能。16.如申请专利范围第12项所述之积体电路系统,进一步包含一第三积体电路元件且其中该第二积体电路元件藉由使该第三积体电路元件赋能与使该第一积体电路元件失能而改变该所欲之机能。17.如申请专利范围第12项所述之积体电路系统,其中该第二积体电路元件包括一电容器,该电容器与配以于该塑模化合物之电容被比较,以检测因去除至少一部分该塑模化合物之结果所造成的电容变化。18.一种积体电路装置,包含:一积体电路用以执行一所欲之机能;一塑模化合物包住该积体电路;一电容被配以该塑模化合物;监测设施用以监测配以该塑模化合物之电容;检测设施用以检测因至少一部分该塑模化合物之去除所造成之电容变化,以及改变设施用以在回应于检测因至少一部分该塑模化合物之去除所造成之电容变化下改变该积体电路之该机能。19.如申请专利范围第18项所述之电路装置,其中改变设施包含设施用以使该积体电路失能。20.如申请专利范围第18项所述之电路装置,其中改变设施包含设施用以添加一不欲要之机能至该积体电路。21.如申请专利范围第18项所述之电路装置,进一步包含一第二积体电路用以执行一不欲有之机能,其中该改变设施包含设施用以使该第二积体电路赋能而不致使该积体电路失能。22.如申请专利范围第18项所述之电路装置,其中一钝化层平置于该塑模化合物与该积体电路之间。23.一种方法,用以检测具有一机能之积体电路免于涉及去除包住该积体电路之反向工程,其中该塑模化合物具有一相关电容,该方法包含:监测配以该塑模化合物之电容;检测因至少一部分该塑模化合物之去除所造成之电容变化;以及回应于检测因至少一部分该塑模化合物之去除所造成之电容变化下改变该积体电路之该机能。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该改变该积体电路之该机能的步骤包含在回应于检测因至少一部分该塑模化合物之去除所造成之电容变化下使该积体电路之该机能失能。25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该改变该积体电路之该机能的步骤包含在回应于检测因至少一部分该塑模化合物之去除所造成之电容变化下使该积体电路之该机能失能及使一不欲有之机能赋能。图示简单说明:第一图为依据本发明提供积体电路机能保全之方法与装置的方块图;第二图为依据本发明之一检测电路的示意图;第三图为依据本发明之一检测电路的配置;第四图为在第三图中依据本发明之一检测电路的横截面图;第五图为依据本发明在金属线与塑模化合物层间没有钝化层的横截面图;第六图为依据本发明失能填衬之图;以及;第七图为依据本发明之失能电路的方块图;第八图为依据本发明之移位暂存器电路。 |
