| 主权项 |
1.一种应用于半导体微影制程之光罩结构,该光罩结构至少包含:一光罩基座,以透光物质组成;至少一个光罩图案,形成于该光罩基座之上用于形成图案于晶圆之上,该光罩图案为不透光之导电物质组成;及一导电薄膜,形成于该光罩基座之上以及该光罩图案之上。2.如申请专利范围第1项之光罩结构,其中上述之光罩基座为玻璃组成。3.如申请专利范围第2项之光罩结构,其中上述之光罩基座为石英组成。4.如申请专利范围第1项之光罩结构,其中上述之光罩图案为金属组成。5.如申请专利范围第4项之光罩结构,其中上述之光罩图案为铬金属组成。6.如申请专利范围第1项之光罩结构,其中上述之导电薄膜为金属薄膜。7.如申请专利范围第6项之光罩结构,其中上述之导电薄膜为银金属薄膜。8.如申请专利范围第1项之光罩结构,其中上述之导电薄膜厚度约为10至50埃。9.如申请专利范围第3项之光罩结构,其中上述石英之反射系数实部约为1.47。10.如申请专利范围第9项之光罩结构,其中上述之导电薄膜为银薄膜。11.如申请专利范围第10项之光罩结构,其中上述之导电薄膜之反射系数实部约为0.075,反射系数虚部为1.93。12.如申请专利范围第11项之光罩结构,其中上述之导电薄膜厚度约为10至50埃。13.一种形成应用于半导体微影制程光罩之方法,该方法至少包含:在光罩基座上形成至少一个光罩图案,该光罩图案用于形成图案于晶圆之上,该光罩图案为不透光之导电物质组成;及形成一导电薄膜于该光罩基座以及该光罩图案之上。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之导电薄膜为银薄膜。图示简单说明:第一图为本发明之光罩截面图;第二图为显示光通过本发明之示意图;及第三图为穿透率对银厚度之关系图。 |
