| 主权项 |
1.一种传导超导电流的结构包括:一基体;一第一磊晶P型半导体层用来传送电洞;一第二磊晶障壁层置于第一层之上,障壁层防止电子与电洞的再结合,也允许电子与电洞的电性吸引而形成电子电洞对;以及一第三磊晶N型半导体层用来传送电子。2.根据申请专利范围第1项之结构,其中第一层包含SiGe,且第一层处于压缩应变下。3.根据申请专利范围第1项之结构,其中第二层包含SiGe,有大约5到30A的厚度。4.根据申请专利范围第1项之结构,其中第三层包含Si,且第三层处于伸张应变下。5.根据申请专利范围第1项之结构,其中第一层包含Si1-xGex,x是在大约0.6到0.8的范围内。曲6.根据申请专利范围第1项之结构,其中第二层包含Si1-xGex,x是在大约0.3到0.4的范围内。7.根据申请专利范围第1项之结构,其中基体包含一梯度层和一形成于梯度层和第三层间的缓冲层。8.根据申请专利范围第7项之结构,其中梯度层包含Si1-yGey,y是在大约0到0.3的范围内。9.根据申请专利范围第7项之结构,其中缓冲层包含Si10.7Ge0.3。10.根据申请专利范围第1项之结构,更包含一第四磊晶障壁层,其中第一到第四层是重覆的。11.根据申请专利范围第1项之结构,更包含一位于基体下之底部闸极,和一位于第三磊晶N型半导体层上之顶部闸极。12.根据申请专利范围第10项之结构,其中顶部和底部闸极上的电压激发超导性。13.根据申请专利范围第10项之结构,包含一形成于顶部闸极和第三磊晶N型半导体层的顶部矽层。14.根据申请专利范围第1项之结构,包含一光源用来照射一事先决定波长的光,以激发超导性。15.根据申请专利范围第13项之结构,其中事先决的波长是在大约1.0mm到1.0mm的范围内。16.一种用来传导超导电流的场效电晶体,包括:一基体;一第一磊晶P型半导体层用来传送电洞;一第二磊晶障壁层置于第一层之上,障壁层防止电子与电洞的再结合,也允许电子与电洞的电性吸引而形成电子电洞对;以及一第三磊晶N型半导体层用来传送电子。17.根据申请专利范围第16项之场效电晶体,更包含一闸极电极位于接近第一层处。18.根据申请专利范围第16项之场效电晶体,更包含一闸极电极位于接近第三层处。19.根据申请专利范围第16项之场效电晶体,更包含一闸极电极位于邻近的第一层和第三层中之一,而其中第一层和第三层在闸极电极的一边耦合在一起。20.一种比较器,有传导电流的结构,该结构包括:一基体;一第一磊晶P型半导体层用来传送电洞;一第二磊晶障壁层置于第一层之上,障壁层防止电子与电洞的再结合,也允许电子与电洞的电性吸引而形成电子电洞对;以及一第三磊晶N型半导体层用来传送电子。21.根据申请专利范围第20项之比较器,更包含第一和第二闸极电极分别位于接近第一层和第二层。22.一种磁检知器,有传导超导电流的结构,该结构包括:一基体;一第一磊晶P型半导体层用来传送电洞;一第二磊晶障壁层置于第一层之上,障壁层防止电子与电洞的再结合,也允许电子与电洞的电性吸引而形成电子电洞对;以及一第三磊晶N型半导体层用来传送电子。23.一种光检知器,有传导超导电流的结构,该结构包括:一基体;一第一磊晶P型半导体层用来传送电洞;一第二磊晶障壁层置于第一层之上,障壁层防止电子与电洞的再结合,也允许电子与电洞的电性吸引而形成电子电洞对;以及一第三磊晶N型半导体层用来传送电子。24.根据申请专利范围第23项之比较器,更包含一辐射源和一引导辐射能从辐射源到第一和第三层来的光路径。25.一种倍频器,有传导超导电流的结构,该结构包括:一基体;一第一磊晶P型半导体层用来传送电洞;一第二磊晶障壁层置于第一层之上,障壁层防止电子与电洞的再结合,也允许电子与电洞的电性吸引而形成电子电洞对;以及一第三磊晶N型半导体层用来传送电子。图式简单说明:图1表示依本发明之有相邻电子电洞通道之高温超导性结构的横截面;图2表二据本发明之流动电流和测量纵向与横向磁阻的测试结构;图3是一图形,表示当依据本发明之图1的超导结构打开时,电流几近瞬间的大量增加;而图4是一图形,表示当依据本发明之图1的超导结构以顶部及底部闸极偏压打开时,电流在几近瞬间时的大量增加。 |
