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2012081.一种负载元件之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一绝缘层以覆盖该基底;定义该绝缘层以在该基底部分表面形成一介层窗;形成一金属插塞于该介层窗内;形成一导电层于该基底上;实施退火制程,使该金属插塞与该导电层反应形成一金属矽化物介面;自该金属矽化物介面定义该导电层之一既定长度范围以形成一负载元件。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该形成一金属插塞于该介层窗内之步骤包括:形成一金属层以覆盖该基底,并填满该介层窗;及回蚀刻该金属层至该绝缘层表面,以于该介层窗内形成一金属插塞。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该金属层由一耐火金属材质组成。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,该耐火金属材质包括白金、钴、及钛群组之一。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该导电层系由一复晶矽材质组成。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该导电层由一复晶矽材质组成。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该退火制程为一快速热制程。8.一种静态随机存取记忆体之负载元件制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一电晶体于该基底上,该电晶体包含一闸极、一扩散区;形成一绝缘层以覆盖该基底;定义该绝缘层以在该基底部分表面形成一介层窗;形成一耐火金层层以覆盖该基底,并填满该介层窗;回蚀刻该耐火金属层至该绝缘层表面,以于该介层窗内形成一插塞;形成一复晶矽层于该基底上;实施快速热制程,使该插塞与该复晶矽层反应形成一金属矽化物介面;自该金属矽化物介面定义该复晶矽层之一既定长度范围以形成一负载元件。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该基底由一p型矽材质组成。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中形成之该绝缘层,系由二氧化矽材质组成。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该形成一复晶矽层于该基底上之步骤更包括一对该复晶矽层施以淡掺杂之步骤。12.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中自该金属矽化物介面定义该复晶矽层之一既定长度范围以形成一负载元件之步骤系包括:形成一光阻层于该复晶矽层上;定义该光阻层以自该金属矽化物介面界定该复晶矽层之一既定长度范围,作为该负载元件;以该光阻层为罩幕,对未被覆盖之该淡掺杂复晶矽层施以浓掺杂,形成一连接区段;及去除该光阻。13.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中定义该绝缘层以在该基底部分表面形成一介层窗之步骤包括,定义该绝缘层以在该电晶体之闸极部分表面形成一介层窗。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中定义该绝缘层以在该基底部分表面形成一介层窗之步骤包括,定义该绝缘层以在该扩散区之部分表面形成一介层窗。15.一种静态随机存取记忆体之负载元件制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一第一电晶体及一第二电晶体于该基底上,该第一、第二电晶体均包含一问极及一汲极区;形成一网缘层以覆盖该基底;定义该绝缘层以在该第一电晶体之闸极及该第二电晶体之汲极部分表面形成一跨区介层窗;形成一钛金属层以覆盖该基底,并填满该跨区介层窗;回蚀刻该钛金属层至该绝缘层表面,以于该跨区介层窗内形成一插塞;形成一复晶矽层于该基底上;实施快速热制程,使该插塞与该复晶矽层反应形成一钛矽化合物介面;及自该钛矽化合物介面定义该复晶矽层之一既定长度范围以形成一负载元件。16.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中,该基底包括一p型井区。17.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中,该汲极区为N型。18.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中,该钛金属层厚度约为100至2000A。19.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中,该复晶矽层厚度约为100至2000A。20.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中,该快速热制程之温度范围约为500至1200℃。图式简单说明:第1图系显示先前相关技术中,一种由4个金氧半电晶体构成之记忆单元的电路图;第2A至2D图系显示一依据第1图之记忆单元电路,以传统制程形成负载元件之部分等效基底示意图;第3A至3B图系显示一依据第2A至2D图进行后续热制程时,负载元件长度因两端横向扩散而缩减之示意图;第4A图系代表本发明实施例之起始步骤中,一在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一沈积闸极氧化层、导电层、及矽化金属层之步骤;第4B图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4A图之基底形成一电晶体及导电连线之步骤;第4C图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4B图之基底形成一绝缘层、并于闸极定义一介层窗之步骤;第4D图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4C图之基底形成一耐火金属层之步骤;第4E图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4D图之基底,回蚀刻耐火金属层以形成一金属插塞之步骤;第4F图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4E图之基底形成一导电层之步骤;第4G图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4F图之基底,进行离子掺杂及快速退火制程以形成金属矽化物介面之步骤;第4H图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4G图之基底,而藉形成一光阻为罩幕,以定义负载元件及连接区段之步骤;第4I图系代表本发明实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4H图之基底去除光阻之步骤;第5图系代表本发明另一实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4B图之基底形成一绝缘层,并于汲极定义一介层窗而藉上述步骤形成负载元件及连接区段之结构;第6图系代表本发明另一实施例之在制晶圆基底之部份剖面图,其显示一依据第4B图之基底形成一绝缘层,并分别于两电晶体之闸极和汲极定义一跨区(butting)介层窗而藉上述步骤形成负载元件及连接区段之结构;第7图系代表本发明之一种由4个金氧半电晶体构成之记忆单元的电路图,其系部份对应第4I至6图之基底结构;及第8A至8B图系显示一依据第4I至6图进行后续热制程时,负载元件长度因金属矽化物介面而避免两端横向扩散之示意图。 |
