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2012071.一种积体电路井结构之制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:a.提供一基底,在该基底上形成一氧化物层;b.上一光阻层,定义该氧化物层,在一第一区域上余下部份该氧化物层,未被部份该氧化物层覆盖的区域为一第二区域;c.对该基底进行一离子植入步骤,在该第二区域上形成一N型井区;d.去除该光阻层,在该第二区域表面形成一热氧化物层;e.去除该第一区域表面之氧化物层与该第二区域表面之热氧化物层,而该第一区域之基底表面略高于该第二区域之基底表面;f.在该基底表面依序形成一垫氧化物层与一氮化矽层;g.定义该氮化矽层,则被定义过后之该氮化矽层盖区为一元件主动区。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该氧化物层可以化学气相沈积法或热氧化法形成。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该氧化物层厚度约为800-3000A。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤c中之离子为磷离子。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法其中,该步骤c中之离子植入能量约为50-150KeV,离子植入浓度约为1.0e13-3.0e13/cm2左右。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤d中之热氧化物层系以热氧化法进行,使得去除该光阻后,该第一区域的基底表面略高于该第二区域的基底表面。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该热氧化物层厚度约为300-1000A。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤e以湿蚀刻法进行。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该步骤g后,更可以习知技艺形成所需之元件结构。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,定义该氧化物层系以微影蚀刻制程定义该氧化物层。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,蚀刻该氧化物层包括以BHF为蚀刻溶液之湿蚀刻法。12.一种积体电路井结构之制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:a.提供一基底,在该基底上形成一氧化物层;b.上一光阻层,定义该氧化物层,在一第一区域上余下部份该氧化物层,未被部份该氧化物层覆盖的区域为一第二区域;c.对该基底进行一离子植入步骤,在该第二区域上形成一P型井区;d.去除该光阻层,在该第二主动区表面形成一热氧化物层;e.去除该第一区域表面之氧化物层与该第二区域表面之热氧化物层,而该第一区域之基底表面略高于该第二区域之基底表面;f.在该基底表面形成一垫氧化物层与一氮化矽层;g.定义该氮化矽层,则被定义过后之该氮化矽层覆盖区为一元件主动区。图式简单说明:第1A图至第1D图系显示一种习知技艺积体电路井结构之制造方法。第2A图至第2F图系显示根据本发明积体电路井结构较佳实施例之制造流程剖面图。 |
