| 主权项 |
1.一种积体电路形成在一半导体基底上,其中此半导体基底有一包含电气式主动装置的第一个区域和一缺乏电气式主动装置的第二区域;此积体电路包含:一井边缘位在界定一井区域的半导体基底上,和与此井边缘分开第一距离远的第二个区域内的一虚设结构。2.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中在该第一区域中的电气式主动装置是在一主动区域中形成,且该虚设结构与此主动区域相隔第二距离远。3.根据申请专利范围第2项之积体电路,其中第一区域中之电气式主动装置包含一导电层且该虚设结构与此导电层相隔第三距离远。4.一种在一积体电路的布局之内决定一虚设结构图案之位置的方法,其中该积体电路有一界定一井边缘之图案,一界定主动区域之图案,和一界定一导电层之图案;该方法包含之步骤为:界定一围绕界定井边缘之图案的第一边界区域;将界定主动区域的图案和界定导电层的图案一齐合并以提供一合并后的图案。界定一沿着合并之图案的第二边界区域;和在积体电路内形成虚设结构图案,以便该虚设结构图案不会与第一边界区域和第二边界区域相交。5.一种在半导体基体上形成积体电路的方法,其中此积体电路包含一井边缘,一主动区域,和一导电层,且该方法包含在半导体基底内形成渠沟结构的步骤,以提供与井边缘相距第一距离远,与主动区域相距第二距离远,而与等电层相距第三个距离远的虚设平台结构,以便该等虚设平台结构不会与井边缘相交,且与导电层分开。图式简单说明:图1为依照本发明而来的积体电路一部分的放大的横截面图;图2为该积体电路一部分的放大的平面图;和图3-7是由本发明所提供的方法中,在不同阶段的照相制版光罩的放大平面图。 |
