| 主权项 |
1.一种树脂封装型半导体装置,其特征系包括具有装置孔之电气绝缘性薄膜,及由形成于此薄膜表面之多数引线形成区域上并以既定型式配列之多数引线所组成之引线群,及配置在前述薄膜之装置孔内并以电极和前述引线之一端连接之积体电路晶片,及至少将前述积体电路晶片,薄膜和引线群密封之树脂密封部,前述薄膜系含有设置于前述引线形成区域以外之区域并至少由1个开口部所组成之第1开口部,及设置于前述引线形成区域内之多数开口部所组成之第2开口部。2.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置,其中前述引线系含有突出于前述装置孔内之内部引线部及由前述薄膜朝外侧突出之外部引线连接部,于此外部引线连接部上连接有机械强度比该外部引线连接部大之外部引线。3.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述第2开口部之开口部相互间存在有带状之连接部。4.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中前述带状之连接部其长度方向系位于和前述薄膜之边成交叉之方向上。5.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中前述带状之连接部其长度方向系位于和前述引线成正交之方向上。6.如申请专利范围第4项之树脂封装型半导体装置,其中前述带状之连接部其长度方向系位于和前述引线成正交之方向上。7.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述第2开口部之多数开口部系沿着前述薄膜之边成对称配置。8.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述第2开口部之多数开口部系沿着前述薄膜之边成对称配置。9.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述第2开口部之开口部系形成于远离前述引线之弯曲部。10.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述第2开口部之开口部系形成于远离前述引线之弯曲部。11.如申请专利范围第7项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述第2开口部之开口部系形成于远离前述引线之弯曲部。12.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述引线群之引线之中,位于最外侧之边引线具有比其他引线大之机械强度。13.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述引线群之引线之中,位于最外侧之边引线具有比其他引线大之机械强度。14.如申请专利范围第7项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述引线群之引线之中,位于最外侧之边引线具有比其他引线大之机械强度。15.如申请专利范围第9项之树脂封装型半导体装置,其中构成前述引线群之引线之中,位于最外侧之边引线具有比其他引线大之机械强度。16.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片系位于前述树脂密封部之厚度方向之约略中心之位置上。17.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片系位于前述树脂密封部之厚度方向之约略中心之位置上。18.如申请专利范围第7项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片系位于前述树脂密封部之厚度方向之约略中心之位置上。19.如申请专利范围第9项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片系位于前述树脂密封部之厚度方向之约略中心之位置上。20.如申请专利范围第12项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片系位于前述树脂密封部之厚度方向之约略中心之位置上。21.如申请专利范围第16项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片之位置系依前述引线之内部引线部及外部引线连接部之成型厚度而设定。22.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片之位置系依前述引线之内部引线部及外部引线连接部之成型厚度而设定。23.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片之位置系依前述引线之内部引线部及前述外部引线之成型厚度而设定。24.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。25.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。26.如申请专利范围第7项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。27.如申请专利范围第9项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。28.如申请专利范围第12项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。29.如申请专利范围第16项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。30.如申请专利范围第22项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。31.如申请专利范围第23项之树脂封装型半导体装置,其中于含有前述引线之内部引线部及前述积体电路晶片之电极之区域上形成有树脂层,该树脂层对该引线及构成前述树脂密封部之树脂系具有良好之粘贴性。32.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。33.如申请专利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。34.如申请专利范围第7项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。35.如申请专利范围第9项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。36.如申请专利范围第12项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。37.如申请专利范围第16项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。38.如申请专利范围第22项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。39.如申请专利范围第23项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。40.如申请专利范围第24项之树脂封装型半导体装置,其中前述积体电路晶片连接有散热部。41.如申请专利范围第32项之树脂封装型半导体装置,其中前述散热部系具有多数之开口部。42.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中前述散热部系具有多数之开口部。43.如申请专利范围第32项之树脂封装型半导体装置,其中前述散热部至少有一部份系露出于前述树脂密封部。44.如申请专利范围第1项或第2项之树脂封装型半导体装置,其中前述散热部至少有一部份系露出于前述树脂密封部。45.如申请专利范围第41项之树脂封装型半导体装置,其中前述散热部至少有一部份系露出于前述树脂密封部。46.如申请专利范围第42项之树脂封装型半导体装置,其中前述散热部至少有一部份系露出于前述树脂密封部。图式简单说明:第一图系表示本创作之第1实施例之半导体装置之重要部份之模式平面图。第二图系表示第一图之半导体装置之一部份扩大平面图。第三图系表示第1实施例之半导体装置之纵断面图。第四图系表示第1实施例之开口部之变形例之模式平面图。第五图系用为说明第1实施例之半导体装置之制造流程而示出之薄纸状薄膜之模式平面图。第六图系用为说明第1实施例之制造流程而表示之引线框之模式平面图。第七图系表示本创作之第2实施例之半导体装置之模式纵断面图。第八图系表示第七图所示之半导体装置之重要部份之扩大部份断面图。第九图系表示本创作之第2实施例之双形例之模式纵断面图。第十图系表示本创作之第3实施例之半导体装置之模式纵断面图。第十一图系表示本创作之第3实施例之变形例之纵断面图。第十二图系表示本创作之第4实施例之模式纵断面图。第十三图系第十二图所示之散热部之平面图。第十四图系表示本创作之第4实施例之变形例之纵断面图。 |
