发明名称 |
iCVD Method of Preparing Gas Separation Membrane Using iCVD Process |
摘要 |
본 발명은 개시제를 사용하는 화학기상증착(iCVD) 공정을 이용하여 기판 위에 고분자를 증착 또는 코팅시키는 가스 분리막의 제조방법에 관한 것으로, 혼합된 가스로부터 목표 가스의 분리를 위한 투과율 및 선택도가 탁월한 효과가 있다. |
申请公布号 |
KR101683776(B1) |
申请公布日期 |
2016.12.08 |
申请号 |
KR20140168702 |
申请日期 |
2014.11.28 |
申请人 |
한국과학기술원 |
发明人 |
임성갑;김지연;유영민 |
分类号 |
B01D71/00;B01D67/00;C23C16/44 |
主分类号 |
B01D71/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|