| 主权项 |
1.一种在基材上产生涂层之方法,其系包括首先铝化、铬化或矽化该基材,然后藉由电解或无电沈积,从一包含CrAlM2粒子之电解浴沈积一金属基质M1在该基材上,该电解浴具有粒度分布系25%为15至12微米间,45%为12至10微米间及30%为低于10微米者,来将该等粒子与基质以M1CrAlM2共沈淀,其中M1为至少一种元素选自Ni、Co、和Fe及M2为至少一种元素选自Y、Si、Ti、Hf、Ta、Nb、Mn、Pt和稀土元素,且其中该M1 CrA1M2之共沈积系在小于每平方公分5毫安培之电流密度下进行且形成一层少于50微米厚之涂层。2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括在M1CrAlM2之共沈积之前或之后的热处理,其中若该热处理在该共沈积之前发生,则该热处理包括在真空下于1000℃至1100℃将该经铝化、铬化或矽化之基材进行处理约1小时;及其中若热处理在该共沈积之后发生,则处理包括在真空条件下于约1100℃将该经共沈积之M1 CrAlM2进行处理约l小时。3.如申请专利范围第1项之方法,其在M1CrAlM2沈积之后进一步包括施加一层热障壁材料。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属基质和粒子之共沈积系于电解浴之粒子载入量少于40克/升进行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该铝化、铬化或矽化分别形成具有30至60微米厚度之铝化合物、铬化合物或矽化合物层。6.如申请专利范围第2项之方法,其中该铝化、铬化或矽化形成一铝化合物、铬化合物或矽化合物层,该层在该热处理之后包括一具有较少Al、Cr或Si浓度及10至20微米厚度之内部扩散区和一具有较高Al、Cr或Si浓度和20至30微米厚度之外部扩散区。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该铝化、铬化或矽化形成铝化合物、铬化合物或矽化合物之第一层及该共沈积形成M1 CrAlM2之第二层,其中该第一层的厚度对第二层的厚度之比介于4:1和1:1之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材系为一种涡轮元件选自包括翼板、根部、屏板、涡轮轴、环、圆盘、燃烧室部分、固定叶片、转子叶片和导引叶片。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属基质和粒子之共沈积形成少于25微米之层。10.一种在基材上产生涂层之方法,其系包括首先铝化、铬化或矽化该基材,然后藉由电解或无电沈积,从一包含CrAlM2粒子之电解浴沈积一金属基质M1来将诸粒子与基质以M1 CrAlM2共沈淀,其中M1为至少一种元素选自Ni、Co、及Fe且M2为至少一种元素选自Y、Si、Ti、Hf、Ta、Nb、Mn、Pt及稀土元素,且其中该M1 CrAlM2之共沈积之电流密度为每平方公分5毫安培,该M1 CrAlM2,之共沈积系于粒子之电解浴载入量低于40克/升且该电解浴具有之粒度分布系25%为15至12微米间,45%为12至10微米间及30%为小于10微米。图式简单说明:第一图是为一涂层装置之一立体视图;第二图是为该装置之一侧视图;第三图是为该装置之一前视图;及第四图是为该要被电镀之物品是悬吊在其上之夹具之一立体视图。 |
