放大电路

摘要

本发明乃有关：将输入信号加以推挽放大之音频用放大电路者，尤其是使用于高电流效率之放大器者。本发明之目的乃在解决：使用电流镜电路（currentmirror circuit）之推挽放大电路中，为获得高效大率将电流镜由增大，则空载电流（idling current）将趋大，消费电流亦增大等之问题者。本发明之特征乃在：空载时乃以电流镜比被放大，振幅较大之信号被输入时，则以电晶体Ｑ３，Ｑ４之射极接地放大率被放大（参阅图１）。

主权项

1.一种放大电路,主要在由射极随耦器(emitterfollower)之第1电晶体及射极接地之第3电晶体等所构成之推挽放大器(push-pull amplifier)中;其特征为:将各在集极基极间设有电阻,基极连接有定电流源(constant current source)之第2电晶体及第4电晶体之集极电位,作为前述第1及第3之电晶体之基极射极间电压之偏压源,各经由电阻外加于前述第1及第3之电晶体之基极;等为构成者。2.一种放大电路,其特征为具备有:具有第1输入端子,第2输入端子及输出端子,基极被连接在前述第1输入端子,电源电压被供给至集极,射极被连接在前述输出端子之第1电晶体;及射极被连接在前述第1电晶体之射极之第2电晶体;及被设在前述第2电晶体之基极与集极间之第1电阻;及被设在前述第1电晶体之基极与前述第2电晶体之集极间之第2电阻;被设在前述第2电晶体之基极与电源电压间之第1定电流源;及基极被连接在前述第2输入端子,集极被连接在前述输出端子,射极被接地之第3电晶体;及射极被连接在前述第3电晶体之射极之第4电晶体;及被设在第4电晶体之基极与集极间之第3电阻;及被设在前述第3电晶体之基极与前述第4电晶体之集极间之第4电阻;及被设在前述第4电晶体之基极与电源电压间之第2定电流源;等为构成者。3.一种放大电路,其特征为具备有:具有第1输入端子,第2输入端子及输出端子,基极被连接在前述第1输入端子,电源电压被供给至集极,射极则被连接在前述输出端子之第1电晶体;及射极被连接在前述第1电晶体之射极之第2电晶体;及阳极被连接在前述第2电晶体之基极,阴极则被连接在前述第2电晶体之集极之第1二极体;及阳极被连接在前述第1电晶体之基极,阴极则被连接在前述第2电晶体之集极之第2二极体;及被设在前述第2电晶体之基极与电源电压间之第1定电流源;及基极被连接在前述第2输入端子,集极则被连接在前述输出端子,射极则被接地之第3电晶体;及射极被连接在前述第3电晶体之射极之第4电晶体;及阳极被连接在前述第4电晶体之基极,阴极则被连接在前述第4电晶体之集极之第3二极体;及阳极被连接在前述第3电晶体之基极,阴极则被连接在前述第4电晶体之集极之第4二极体;及被设在前述第4电晶体之基极与电源电压间之第2定电流源;等为构成者。4.如申请专利范围第1项所述之放大电路中;前述第1电晶体之射极接地电流放大率,乃较前述第1电晶体之射极面积与前述第2电晶体之射极面积之比为大;前述第3电晶体之射极接地电流放大率,则较前述第3电晶体之射极面积与前述第4电晶体之射极面积之比为大;等为特征者。5.如申请专利范围第2项所述之放大电路中;前述第1电晶体之射极接地电流放大率,乃较前述第1电晶体之射极面积与前述第2电晶体之射极面积之比为大;前述第3电晶体之射极接地电流放大率,则较前述第3电晶体之射极面积与前述第4电晶体之射极面积之比为大;等为特征者。6.如申请专利范围第3项所述之放大电路中;前述第1电晶体之射极接地电流放大率,乃较前述第1电晶体之射极面积与前述第2电晶体之射极面积之比为大;前述第3电晶体之射极接地电流放大率,则较前述第3电晶体之射极面积与前述第4电晶体之射极面积之比为大;等为特征者。7.如申请专利范围第1项所述之放大电路中;进一步具备有:输入端子被供给信号,输出端子被连接在前述第1电晶体之基极,而被供给于输入端子之信号为无信号时,将空载电流(idling current)输出至输出端子之第1驱动电路;及在输入端子被供给;供给至前述第1驱动电路之输入端子之信号之倒相信号,输出端子被连接在前述第3电晶体之基极,而被供给于输入端子之信号为无信号时,将空载信号输出至输出端子之第2驱动电路;等为特征者。8.如申请专利范围第2项所述之放大电路中;进一步具备有:输入端子被供给信号,输出端子被连接在前述第1电晶体之基极,而被供给于输入端子之信号为无信号时,将空载信号输出至输出端子之第1驱动电路;及在输入端子被供给:供给至前述第1驱动电路之输入端子之信号之倒相信号,输出端子被连接在前述第3电晶体之基极,而被供给于输入端子之信号为无信号时,将空载电流输出至输出端子之第2驱动电路;等为特征者。9.如申请专利范围第3项所述之放大电路中;进一步具备有:输入端子被供给信号,输出端子被连接在前述第1电晶体之基极,而被供给于输入端子之信号为无信号时,将空载电流输出至输出端子之第1驱动电路;及在输入端子被供给:供给至前述第1驱动电路之输入端子之信号之倒相信号,输出端子被连接在前述第3电晶体之基极,而被供给于输入端子之信号为无信号时,将空载电流输出至输出端子之第2驱动电路;等为特征者。10.一种放大电路;其特征为具备有:具有输入端子及输出端子,基极被连接在前述输入端子,集极被连接在电源端子时射极则被连接在前述输出端子,集极被连接在前述输出端子时则射极被接地之第1电晶体;及射极被连接在前述第1电晶体之射极之第2电晶体;及被设在前述第2电晶体之基极与集极间之第1电阻;及被设在前述第1电晶体之基极与前述第2电晶体之集极间之第2电阻;及输出端子被连接在前述第2电晶体之基极之定电流源;等为特征者。11.一种放大电路;其特征为具备有:具有输入端子及输出端子,基极被连接在前述输入端子,集极被连接在电源端子时射极则被连接在前述输出端子,集极被连接在前述输出端子时则射极被接地之第1电晶体;及射极被连接在前述第1电晶体之射极之第2电晶体;及阳极被连接在前述第2电晶体之基极,阴极则被连接在前述第2电晶体之集极之第1二极体;及阳极被连接在前述第1电晶体之基极,阴极则被连接在前述第2电晶体之集极之第2二极体;及输出端子被连接在前述第2电晶体之基极之定电流源;等为构成者。12.如申请专利范围第10项所述之放大电路中;前述第1电晶体之射极接地电流放大率,乃较前述第1电晶体之射极面积与前述第2电晶体之射极面积之比为大;为特征者。13.如申请专利范围第11项所述之放大电路中;前述第1电晶体之射极接地电流放大率,乃较前述第1电晶体之射极面积与前述第2电晶体之射极面积之比为大;为特征者。图式简单说明:第一图表示本发明之第1实施例之图。第二图表示本发明之第1实施例之变形例之图。第三图表示本发明之第2实施例之图。第四图表示以往之例子之图。