| 主权项 |
1.一种形成记忆体电容之方法,至少包含:形成一第一掺杂多晶矽层于一半导体基板上,其中部分该第一掺杂多晶矽层导通至该基板上;形成一氧化矽层于该第一掺杂多晶矽层上;除去部分该氧化矽层;形成一第一氮化矽侧壁间隙于该氧化矽层之侧壁;以该第一氮化矽侧壁间隙为遮罩,蚀去部分该第一掺杂多晶矽层,因而形成一凹陷于该第一掺杂多晶矽层内;以一第二氮化矽层填满该凹陷及填满该第一氮化矽侧壁间隙所包围之区域;以该第一氮化矽侧壁间隙及该第二氮化矽层为遮罩,蚀刻该氧化矽层;以该第一氮化矽侧壁间隙及该第二氮化矽层为遮罩,蚀刻该第一掺杂多晶矽层;形成一第二掺杂多晶矽侧壁间隙于该第一氮化矽侧壁间隙及该第一掺杂多晶矽层之侧壁;除去该第二氮化矽层及该第一氮化矽侧壁间隙;形成一介电层于该第一掺杂多晶矽层及该第二掺杂多晶矽侧壁间隙上;及形成一导电层于该介电层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氧化矽层系以缓冲氧蚀刻制程所除去。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氧化矽层系以氢氟酸所除去。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氮化矽侧壁间隙及该第二氮化矽层系以热磷酸除去。5.如申请专利范围第1项之方法,其中形成上述第一氮化矽侧壁间隙之步骤至少包含:沈积一第一氮化矽层于该氧化矽层及该第一掺杂多晶矽层上;及回蚀该第一氮化矽层以形成该第一氮化矽侧壁间隙。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述填满该凹陷之步骤至少包含:沈积该第二氮化矽层于该氧化矽层及该凹陷内;及回蚀该第二氮化矽层使得该氧化矽层露出。7.如申请专利范围第1项之方法,其中形成上述第二掺杂多晶矽侧壁间隙之步骤至少包含:沈积一第二多晶矽层于该第二氮化矽层及该基板上;及回蚀该第二多晶矽层以形成该第二掺杂多晶矽侧壁间隙。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层为下列之一:氧-氮-氧(ONO)堆叠层、BST(BaSiTiO``````w)、PZT(leadzirconate titanate)、Ta2O5.TiO2及NO。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电层为下列之一:金属层及矽化金属层。10.一种形成记忆体电容之方法,至=少包含:形成一第一介电层于一半导体基板上;形成一第一氧化矽层于该第一介电层上;形成一接触窗洞于该第一介电层及该第一氧化矽层内,因而露出该基板之部分表面;形成一第一掺杂多晶矽层于该第一氧化矽层上,因而填满该接触窗洞;形成一第二氧化矽层于该第一掺杂多晶矽层上;除去部分该第二氧化矽层;形成一第一氮化矽侧壁间隙于该第二氧化矽层之侧壁;以该第一氮化矽侧壁间隙为遮罩,蚀去部分该第一掺杂多晶矽层,因而形成一凹陷于该第一掺杂多晶矽层内;以一第二氮化矽层填满该凹陷及填满该第一氮化矽侧壁间隙所包围之区域;以该第一氮化矽侧壁间隙及该第二氮化矽层为遮罩,蚀刻该第二氧化矽层;以该第一氮化矽侧壁间隙及该第二氮化矽层为遮罩,蚀刻该第一掺杂多晶矽层;形成一第二掺杂多晶矽侧壁间隙于该第一氮化矽侧壁间隙及该第一掺杂多晶矽层之侧壁;除去该第二氮化矽层及该第一氮化矽侧壁间隙;形成一第二介电层于该第一掺杂多晶矽层及该第二掺杂多晶矽侧壁间隙上;及形成一导电层于该第二介电层上。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之第一介电层至少包含四已基矽酸盐(TEOS)。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之第一介电层至少包含硼磷矽玻璃(BPSG)。13.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之第二氧化矽层系以缓冲氧蚀刻制程所除去。14.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之第二氧化矽层系以氢氟酸所除去。15.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之第一氮化矽侧壁间隙及该第二氮化矽层系以热磷酸除去。16.如申请专利范围第10项之方法,其中形成上述第一氮化矽侧壁间隙之步骤至少包含:沈积一第一氮化矽层于该第二氧化矽层及该第一掺杂多晶矽层上;及回蚀该第一氮化矽层以形成该第一氮化矽侧壁间隙。17.如申请专利范围第10项之方法,其中上述填满该凹陷之步骤至少包含:沈积该第二氮化矽层于该第二氧化矽层及该凹陷内;及回蚀该第二氮化矽层使得该第二氧化矽层露出。18.如申请专利范围第10项之方法,其中形成上述第二掺杂多晶矽侧壁间隙之步骤至少包含:沈积一第二多晶矽层于该第二氮化矽层及该第一氧化矽层上;及回蚀该第二多晶矽层以形成该第二掺杂多晶矽侧壁间隙。19.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之第二介电层为下列之一:氧-氮-氧(ONO)堆叠层、BST(BaSiTiO3)、PZT(lead zirconate titanate)、Ta2O5.TiO2及NO。20.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之导电层为下列之一:金属层及矽化金属层。图式简单说明:第一图显示记忆体及相关组织系统示意图。第二图A显示记忆体储存单元之电路示意图。第二图B显示一传统动态随机存取记忆体电容之剖面图。第三图至第十一图显示根据本发明实施例之一,以形成动态随机存取记忆体叉状电容之各个步骤剖面图。 |
