| 主权项 |
1.一种在装置制造中促进装置中之表面状态之钝化的制法,此制法包括下列步骤:于该装置中形成一层富含氢之氮化矽;及加热该装置至高于使用于淀积富含氢之氮化矽层之温度的温度,其中该加热之步骤致使氢原子扩散遍及该装置,以便将装置内之表面状态钝化。2.如申请专利范围第1项之制法,其中形成该富含氢之氮化矽的步骤包括电浆增强之化学气相淀积(PECVD)。3.如申请专利范围第2项之制法,其中该富含氢之氮化矽包含氢的数量系大于大约5原子重量百分数。4.如申请专利范围第2项之制法,其中该富含氢之氮化矽包含氢的数量系在于大约5及小于或等于大约39原子重量百分数的氢。5.如申请专利范围第2项之制法,其中该装置包括一具电晶体,其包含一个闸极区域,一个源极区域及一个汲极区域。6.如申请专利范围第5项之制法,其中将该富含氢之层形成在闸极,源极和汲极等区域上。7.如申请专利范围第6项之制法,其中该富含氢之氮化矽包含之氢的数量系大于大约5及小于或等于大约39原子重量百分数之氢。图式简单说明:第一图描述具有隔离之习见电晶体的简化装置结构;第二图描述具有钝化层之电晶体的简化装置结构;第三图描述具有钝化层作为部份复合闸之电晶体的简化装置结构;第四图是一幅比较图表,其比较具有习见氮化物薄膜之装置的漏(电)流与具有高含氢(H-R)之氮化物薄膜之装置的漏流;及第五图是一幅比较图表,其比较习见之低压化学气相淀积之氮化物薄膜与H-R氮化物薄膜的特征性。 |
