| 主权项 |
1.一种MN薄膜致动镜面之阵列,其中M与N为整数,俾用于光学投射系统中,该阵列包含:一主动矩阵,包括一基质、一MN个连接端子之阵列及一MN个电晶体之阵列,其中每一连接端子均电连至MN电晶体之阵列中之一相关电晶体处;MN管道,其中每一管道均由导电材料制成;一MN个致动结构之阵列,每一致动结构设有一连接部及一光线反射部,每一致动结构包括一弹性构件,一第二薄膜电极,一薄膜电位移构件及一第一薄膜电极,其中每一管道位于每一致动结构中之连接部,由第二薄膜电极之底部延伸至电连至一相关电晶体之连接端子之顶面,以藉此容许第二薄膜电极充作每一薄膜致动镜面中之信号电极之用,以及由一光线反射与导电材料制成之第一薄膜电极系接地以藉此充作每一薄膜致动镜面中之一镜面及一偏压电极之用;以及MN个薄膜电介质构件之多重堆叠,每一薄膜电介质构件置于每一致动结构中之光线反射部之顶面上,其中该每一薄膜电介质构件具有一预定厚度及一特定折射率。2.如申请专利范围第1项之阵列,其中每一薄膜致动镜面为一双形(bimorph)结构,该双形结构包括一对藉一电极分隔之电位移构件。3.如申请专利范围第2项之阵列,其中每一薄膜致动镜面另设有一额外电位移层及一额外电极层。4.一种制造MN薄膜致动镜面之阵列之方法,该方法包含以下步骤:提供一主动矩阵其包括一基质,一MN连接端子之阵列及一MN电晶体之阵列,其中每一连接端子均电连至一相关电晶体;沈积一薄膜牺牲层至主动矩阵之顶面上;于薄膜牺牲层中产生一MN空槽之阵列,每一空槽均围绕连接端子之顶部而设;沈积一由绝缘材料制成之弹性层至薄膜牺牲层之顶面上同时充填该等空槽;于弹性层中形成一MN管道之阵列,每一管道由弹性层之顶面延伸至一相关连接端子之顶面;顺序沈积一第二薄膜层,一薄膜电位移层及一第一薄膜层至弹性层之顶面上,其中第二薄膜层由一导电材料制成,及第一薄膜层由一导电与光线反射材料制成;分别样式化第一薄膜层,薄膜电位移层,第二薄膜层及弹性层,直到薄膜牺牲层外露为止,藉此形成一MN半成品致动结构之阵列,其中每一半成品致动结构设有一第一薄膜电极,一薄膜电位构件,一第二薄膜电极及一弹性构件;顺序沈积多数薄膜电介质层至包括外露薄膜牺牲层之半成品致动结构之顶面上,每一薄膜电介质层具有一预定厚度;分别样式化多数薄膜电介质层成为MN个薄膜电介质构件之多层堆叠,直到薄膜牺牲层再度外露为止,藉此可形成一MN半成品致动镜面之阵列,其中多数薄膜电介质层系以如此方式进行样式化使得每一半成品致动镜面任意分割成一致动部及一光线反射部,每一管道及每一薄膜电介质构件分别位于每一半成品致动镜面中之致动部及光线反射部处;以一薄膜保护层覆盖每一半成品致动镜面以藉此形成一MN保护致动镜面之阵列;移除薄膜牺牲层;以及移除薄膜保护层以藉此形成一MN薄膜致动镜面之阵列。5.如申请专利范围第4项之方法,其中多数薄膜电介质层系利用一喷镀法或一蒸发法加以沈积。6.如申请专利范围第4项之方法,其中每一薄膜致动镜面具有一双形结构,该双形结构包括一对藉一电极分隔之电位移构件。7.如申请专利范围第4项之方法,另包含于沈积电位移层之后顺序形成一额外电极层及一额外电位移层。图式简单说明:第一图A至第一图G揭示示意截面视图其显示先前揭露之MN薄膜致动镜面之阵列之制造步骤;第二图显示本发明MN薄膜致动镜面之阵列之截面视图;以及第三图A至第三图F提供示意截面视图其说明第二图所示MN薄膜致动镜面之阵列之制法。 |
