| 主权项 |
1.一种闸极氧化层之制造方法,包括下列步骤:a.提供一矽基底;b.形成一第一阻绝层于该矽基底上;c.形成一第一氧化层于该矽基底与该第一阻绝层之界面;d.形成一第二阻绝层于该矽基底与该第一氧化层之界面;以及e.形成一第二氧化层于该矽基底与第二阻绝层之界面。2.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤b中形成该第一阻绝层之方法,包括下列步骤:将该矽基底置于一通入氨气的氧化炉中;该将该氧化炉昇温至一氧化温度;以及使该氧化炉之温度约维持于该氧化温度。3.申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤c中形成该第一氧化层的方法,包括将该矽基底置于一通入氧气且温度约为750-850℃的氧化炉中以生成该第一氧化层于该矽基底与该第一阻绝层之界面。4.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤d中形成该第二阻绝层之方法,包括在一温度约为800-850℃且通入氧化亚氮气体的氧化炉中进行回火制程,以使该矽基底与该第一氧化层之界面生成该第二阻绝层。5.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤e中形成该第二氧化层的方法,包括将该矽基底置于一通入氧气且温度约为750-850℃的氧化炉中以生成该第二氧化层于该矽基底与第二阻绝层之界面。6.如申请专利范围第2项所述之闸极氧化层之制造方法,其中该氧化温度约为750-850℃。7.如申请专利范围第2项所述之闸极氧化层之制造方法,其中该第一阻绝层之材质为含氧氮化物。8.如申请专利范围第4项所述之闸极氧化层之制造方法,其中该第二阻绝层之材质为含氧氮化物。图式简单说明:第一图A-第一图C系绘示习知闸极氧化层之制造流程图;以及第二图A-第二图C系绘示习知闸极氧化层之制造流程图。 |
