形成浅沟渠的方法

摘要

本发明提供一种形成浅沟渠的方法，可形成不同曲率之圆滑上边角 (top corner) 的浅沟渠，首先利用过度蚀刻，在一基底形成不同深度之前沟渠，之后，在此前沟渠上以热氧化法可形成不同形状鸟嘴之氧化层，再去除氧化层后，即可形成不同曲率半径之圆滑上边角的浅沟渠。

主权项

1.一种形成浅沟渠的方法,包括下列步骤: 设一基底,并在该基底上依序设一氧化层、一罩幕层;定义该罩幕层与该氧化层,形成一开口,并沿该开口过度蚀刻至该基底,以在该基底形成一前沟渠;利用热氧化法,在该前沟渠底部之暴露的该基底表面,形成一具鸟嘴形状之氧化层;去除该氧化层后,形成一具有圆滑上边角之浅沟渠;而该圆滑上边角的曲率半径,小于0.0587m。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该垫氧化层的材质为二氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该罩幕层的材质为氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该前沟渠系以乾蚀刻法过度蚀刻所形成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层之去除系利用酸槽蚀刻达成。图式简单说明:第一图A到第一图B为依照传统方法形成具圆滑上边角沟渠之剖面示意图。第二图A到第二图B为依照本发明第一实施例形成浅沟渠之剖面示意图。第三图A到第三图B为依照本发明第二实施例形成浅沟渠之剖面示意图。第四图为过度蚀刻深度对上边角之曲率半径的关系图。