| 主权项 |
1.一种增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其系应用于半导体制程中,其包含下列步骤:(a)提供一不平坦多晶矽层(rugged polysilicon),其系由含第一掺质(dopants)之多晶矽所形成;(b)于该含第一掺质之不平坦多晶矽层之上表面形成一含第二掺质之多晶矽层;(c)以一非等向性蚀刻法去除该含第二掺质之多晶矽层,直至该含第一掺质之多晶矽层露出表面;以及(d)以蚀刻选择性比値(含第一掺质之不平坦多晶矽蚀刻速率比含第二掺质之不平坦多晶矽蚀刻速率)大于1之蚀刻方式进行蚀刻,进而得致增加不平坦多晶矽层之有效表面积。2.如申请专利范围第1项所述之增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其中该第一掺质与该第二掺质系分别为磷(P)与砷(As)。3.如申请专利范围第2项所述之增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其步骤(d)中所述之以蚀刻选择性比値(含磷(P)之不平坦多晶矽蚀刻速率比含砷(As)之多晶矽之蚀刻速率)大于1之蚀刻方式系以一S-acid溶液(HF+HNO3+H2O)进行蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其中该非等向性蚀刻法系以一乾式蚀刻法为之。5.一种增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其系应用于半导体制程中,其包含下列步骤:(a)提供一不平坦多晶矽层(rugged polysilicon),其系由含第一掺质(dopants)之多晶矽所形成;(b)于该含第一掺质之不平坦多晶矽层之上表面形成一不含掺质之多晶矽层;(c)以非等向性蚀刻法去除该不含掺质之多晶矽层,直至该含第一掺质之多晶矽层露出表面;以及(d)以蚀刻选择性比値(含第一掺质之不平坦多晶矽蚀刻速率比不含掺质之多晶矽之蚀刻速率)大于1之蚀刻方式进行蚀刻,进而得致增加不平坦多晶矽层之有效表面积。6.如申请专利范围第1项所述之增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其中该第一掺质系以磷(P)为之。7.如申请专利范围第2项所述之增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其步骤(d)中所述之以蚀刻选择性比値(含磷(P)之不平坦多晶矽蚀刻速率比不含掺质之多晶矽蚀刻速率)大于1之蚀刻方式系以一S-acid溶液(HF+HNO3+H2O)进行蚀刻。8.如申请专利范围第1项所述之增加不平坦多晶矽层(rugged polysilicon)有效表面积之方法,其中该非等向性蚀刻法系以一乾式蚀刻法为之。图式简单说明:第一图:(a)至(d)系为本案第一较佳实施例之制程示意图。第二图:(a)至(d)系为本案第二较佳实施例之制程示意图。 |
