一种金属蚀刻反应室之侦测泄漏之方法

摘要

本发明系有关一种金属蚀刻反应室之侦测泄漏之方法。本案主要藉由统计分析金属蚀刻反应室(chamber)内壁残余物之释气(outgassing)与反应室实际泄漏之关系式，得一与该机台之累积操作过晶片数有关之修正值。因此机台每日在做日常点检(daily check)时，只要机台操作人员将该日所量测之平均压力泄漏率与修正值在一定之差值内，将可保证该机台之密闭情况良好，并藉此提高产品之良率及降低制造成本。

主权项

1.一种金属蚀刻反应室之侦测泄漏之方法,系包括:将蚀刻反应室抽真空到底压(base pressure)120秒后把闸阀关闭,然后每隔40秒读取一次压力値,直到600秒,而其各点之漏率之计算方式如下:L1=(P1-P0)mT/40 sec60sec/1 min=3 P1/2L2=(P2-P1)mT/40 sec60 sec/1min=3 P2/2..其中P1=P1-P0,P2=P2-P1P=0秒时之压力,P1=40秒时之压力 P3=..;将上述测得之15个漏率(L1,L2,.....L14,L15)平均,而得出平均泄漏率;再将该平均泄漏率减去预估之反应室释气修正値(offset),该修正値等于10(-0.41710gw+1.865),其中w为机台生产过之累计晶片数,该差値若小于等于1,表示机台密闭情况良好,运作正常,反之则表示机台异常需捡查。图式简单说明:第一图为闸阀开放式之金属蚀刻反应室侦测漏率之示意图。第二图为闸阀关闭式之金属蚀刻反应室侦测漏率之示意图。第三图为金属蚀刻反应室之漏率观测趋势图。第四图为平均漏率与累积操作过晶片数之对数座标图。