发明名称 制备相位延迟膜之方法
摘要 本发明系提供一种供制备相位延迟膜之方法,其中一具有至少一种光反应性取代基之树脂层系用平行光束照射。本发明之方法与使用线性极化紫外线,静电场,或静磁场照射之已知方法比较时,更能简易地制造大面积相位延迟膜;因此较适于工业应用。
申请公布号 TW353046 申请公布日期 1999.02.21
申请号 TW087108893 申请日期 1998.06.04
申请人 住友化学工业股份有限公司 发明人 波冈诚
分类号 B29C41/18 主分类号 B29C41/18
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种供制造相位延迟膜之方法,其中具有至少一种光反应性取代基之树脂层系用平行光束照射。2.如申请专利范围第1项之供制造相位延迟膜之方法,其中该具有光反应性取代基之树脂层系一含有具至少一种基体(其具有光反应性取代基)之聚合物的涂层。3.如申请专利范围第1项之供制造相位延迟膜之方法,其中该具有光反应性取代基之树脂层系一含有至少一种具光反应性取代基之聚合物与其他树脂之混合物的涂层。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之供制造相位延迟膜之方法,其中该光反应性取代基系为光照时即会引起[2+2]环加成作用之取代基。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之供制造相位延迟膜之方法,其中该光反应性取代基系肉桂醯基。6.如申请专利范围第4项之供制造相位延迟膜之方法,其中该光反应性取代基系为肉桂醯基。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之供制造相位延迟膜之方法,其中该光反应性取代基系为光照时可进行顺式-反式异构化作用之取代基。8.如申请专利范围第1项之供制造相位延迟膜之方法,其中该平行光束系平行的紫外线。9.如申请专利范围第1项之供制造相位延迟膜之方法,其中该平行光束之照射能量系在1J/cm2至10kJ/cm2范围内。10.如申请专利范围第1,8及9项中任一项之供制造相位延迟膜之方法,其中该平行光束系为在20度之角度(相对于主要光束方向)内可照射到约80%或更多的光束。图式简单说明:第一图系解说一种供制造本发明之相位延迟膜的概要图;第二图系解说另一种供制造本发明之相位延迟膜的概要图;第三图系显示一种测量该相位延迟膜之延迟値角度从属性的方法概要图;第四图系显示如实施例1所获得之相位延迟膜的角度()与延迟値之间的关系;第五图系显示如实施例2所获得之相位延迟膜的角度()与延迟値之间的关系;第六图系显示如实施例3所获得之相位延迟膜的角度()与延迟値之间的关系;第七图系显示如实施例4所获得之相位延迟膜的角度()与延迟値之间的关系;第八图系显示如实施例5所获得之相位延迟膜的角度()与延迟値之间的关系;以及第九图系显示如实施例6所获得之相位延迟膜的角度()与延迟値之间的关系。
地址 日本