| 主权项 |
1.一种半导体装置测试装置,系备有测试器部与处理部,在处理部之装载部将被测试半导体搭载于多数半导体装置载具,将此等半导体装置载具从上述装载部运送到处理部之测试部,测试半导体装置,完成测试后,将搭载已测试半导体装置之上述半导体装置载具,从上述测试部运至处理部之卸载部,在此卸载部将上述半导体装置载具上之已测试半导体装置换装到别的半导体装置收纳容器,将空的半导体装置载具从上述卸载部运送到上述装载部,而返覆上述动作之半导体装置测试装置,其特征在于,在上述半导体装置载具之各载具分别备有,可累积记忆测试结果之半导体装置载具不良解析记忆体,可判定记忆在此半导体装置载具不良解析记忆体之产生不良个数,或不良发生率是否超过设定値之判定构件,以及依照此判定结果,将半导体装置测试装置之状态控制在预先设定之状态之控制构件。2.一种半导体测试装置,系备有测试器部及处理部,在处理部之装载部,将被测试半导体装置搭载于,在框架装设一个或多数个半导体装置载具之测试托盘,从上述装载部将此测试托盘运送到处理部之测试部,在此测试部,令搭载于上述测试托盘之半导体装置以电气方式接触在安装于测试部之测试头之一个或多数个插座,以测试半导体装置,完成测试后,将搭载已测试半导体装置之测试托盘从上述测试部运出到处理部之卸载部,在此卸载部,将上述测试托盘上之已测试半导体装置换装到其他半导体装置收纳容器,从上述卸载部将空的测试托盘运送到上述装载部,而返覆上述动作之半导体装置测试装置,其特征在于,在上述半导体载具之各载具分别备有,可累积记忆测试结果之半导体装置载具不良解析记忆体,可判定记忆在此半导体装置载具不良解析记忆体之产生不良个数,或不良发生率是否超过设定値之判定构件,以及,依照此判定结果,将半导体装置测试装置之状态控制在预先设定之状态之控制构件。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述判定构件设定成,搭载在同一测试托盘之同一半导体装置载具之被测试半导体装置被连续判定有一定个数以上为不良时,将该半导体装置载具判定为不良之连续模式。4.如申请专利范围第2项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述判定构件设定成,搭载在同一测试托盘之同一半导体装置载具之被测试半导体装置之每一定个数之不良数,被判定为在一定比率以上时,将该半导体装置载具判定为不良之生产率模式。5.如申请专利范围第2项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,进一步含有,选择上述连续模式,与上述生产率模式之任一方,而设定在上述判定构件之判定模式设定构件。6.如申请专利范围第1项或第2项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述控制构件将上述半导体装置测试装置之状态设定成为,检出被判定为不良之半导体装置载具时,进行控制,俾不在装载部将被测试半导体装置搭载于被判定为不良之半导体装置载具之故障停止模式控制状态。7.如申请专利范围第1项或第2项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述控制构件将上述半导体装置测试装置之状态设定为,检出被判定为不良之半导体装置载具时,从上述半导体装置测试装置发出警告之警告控制状态。8.如申请专利范围第1项或第2项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述控制构件将上述半导体装置测试装置之状态设定为,检出被判定为不良之半导体装置载具时,不使被测试半导体装置在上述装载部搭载于被判定为不良之半导体装置载具,同时从上述半导体装置测试装置发出警告之故障停止,警告控制状态。9.一种半导体装置测试装置,系备有测试器部与处理部,在处理部之装载部,将被测试半导体装置搭载于,在框架装设多数半导体装置载具之测试托盘,将此测试托盘从上述装载部运送到处理部之测试部,在此测试部,令搭载于上述测试托盘之半导体装置以电气方式接触于安装在测试部之测试头之一个或多数个插座,以测试半导体装置,完成测试后,将搭载已测试之半导体装置之测试托盘从上述测试部运出到处理部之卸载部,在此卸载部,将上述测试托盘上之已测试半导体装置换装到其他半导体装置收纳容器,从上述卸载部将空的测试托盘运送到上述装载部,以返覆上述动作之半导体装置测试装置,其特征在于,在装设于各测试托盘之上述多数个半导体装置载具之各个载具分别备有,可以累积记忆搭载之被测试半导体装置之测试结果中之不良结果之半导体装置载具不良解析记忆体,可判定记忆在此半导体装置载具不良解析记忆体之发生不良个数,或不良发生率是否超过一定之设定値之判定构件,依据此判定构件之判定结果,将半导体装置测试装置之状态控制在预先设定之状态之控制构件,以及,至少预先设定上述不良产生个数之设定値,上述不良发生率之设定値,及上述半导体装置测试装置之控制状态之显示器。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述显示器进一步备有,选择连续模式与生产率模式之任何一方之不良判定模式。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述连续模式,系搭载于同一测试托盘之同一半导体装置载具之被测试半导体装置被连续判定为有上述显示器设定之不良产生个数以上不良时,将该半导体装置载具判定为不良之不良判定模式。12.如申请专利范围第10项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述生产率模式,系搭载于同一测试托盘之同一半导体装置载具之被测试半导体装置之每一定个数之不良数被判定为,在上述显示器设定之不良发生率以上时,将该半导体装置载具判定为不良之不良判定模式。13.如申请专利范围第9项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述显示器具有,检出被判定为不良之半导体装置载具时,进行控制,不在装载部将被测试半导体装置搭载于被判定为不良之半导体装置载具之故障停止控制模式,检出被判定为不良之半导体装置载具时,从上述半导体装置测试装置发出警报之警报控制模式,以及,检出被判定为不良之半导体装置载具时,控制不在装载部将被测试半导体装置搭载于被判定为不良之半导体装置载具,同时由上述半导体装置测试装置发生警报之故障停止,警报控制模式。14.如申请专利范围第9项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述显示装置具有从多数类别选择而设定半导体装置载具之不良种类之故障停止类别,而仅在发生上述显示器上有设定之类别之不良时,在上述半导体装置载具不良解析记忆体累积记忆发生不良。15.如申请专利范围第2项或第9项之任一项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述处理器部对收纳在棒状之称作仓匣(magazine)之半导体装置收纳容器之半导体装置,或收纳在万用托盘之半导体装置,均在装载部换装至测试托盘,运送至测试部加以测试,在卸载部依据测试结果之资料对已测试半导体装置做各种处理之仓匣,托盘兼用型之处理器,上述装载部系将从上述仓匣排出之半导体装置,或搭载在万用托盘之半导体装置换装到测试托盘之处所。16.如申请专利范围第2项或第9项之任一项所述之半导体装置测试装置,其特征在于,上述处理器部系在上述装载欣将收纳在万用托盘之半导体装置换装至测试托盘运送至测试部进行测试,在卸载部依据测试结果之资料对已测试半导体装置进行各种处理之称作水平运送方式之处理器。图式简单说明:第一图系说明本发明之半导体装置测试装置一实施例之主要部分之架构图。第二图系说明第一图所示半导体装置测试装置所使用之载具不良解析记忆体内部构造之一个例子之图。第三图系说明第一图所示半导体装置测试装置所使用之判定模式设定构件之一个例子之图。第四图系以斜视方式表示测试室部之传统之IC测试装置之一个例子之概略平面图。第五图系第四图所示之IC测试装置之概略斜视图。第六图系说明IC测试装置所使用之测试托盘之一个例子之构造用之分解斜视图。第七图系说明第六图所示测试托盘用以保持收容在IC收容部之IC之闩锁机构之概略斜视图。第八图系说明搭载于测试托盘之被测试IC与测试头之电气接续状态之放大截面图。第九图系说明搭载于测试托盘之被测试IC之测试顺序之平面图。 |
