| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体的制造方法,其至少提供一半导体基底,该基底表面至少形成有一电晶体闸极,作为该电晶体之一字元线,在该电晶体侧边的该基底表面形成一源/汲极区,且在该电晶体闸极间上定义有一复晶矽层,作为该电晶体之一位元线,该位元线与该源/汲极区之一电性耦接,该制造方法至少包括下列步骤:a.在该基底上形成一毯覆式第一绝缘层,覆盖住该字元线与该位元线;b.在该第一绝缘层上形成一第一复晶矽层;c.定义该第一复晶矽层,在该第一复晶矽层形成一开口,该开口位于该源/汲极区之一之上方;d.在该开口与该第一复晶矽层上形成一氧化物层,该氧化物层在该开口处具有一凹口;e.以一自动对准蚀刻制程,蚀刻该氧化物层与该绝缘层,在该绝缘层上形成一接触窗,暴露出该源/汲极区之一;f.在该第一复晶矽层上形成一第二复晶矽层,该第二复晶矽层填入该接触窗中并延伸至该第一复晶矽层表面,与该源/汲极区中之一电性耦接;g.定义该第一复晶矽层与该第二复晶矽层,作为该电容器之一下电极;以及h.在该第二复晶矽层上形成一介电层,在该介电层上形成一第三复晶矽层,作为该电容器之一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该绝缘层厚度约为5000-20000A。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该绝缘层可为氧化物。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该氧化物层厚度约为300-3000A。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该步骤f之后,该步骤g之前更包括在该下电极上形成一半球颗粒复晶矽层的步骤。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该步骤g中,可定义该第一复晶矽层与该第二复晶矽层为柱状、鳍状等增加该下电极表面积的结构。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该介电层可为氮化物-氧化物(NO)。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤e中,以该第二复晶矽层为罩幕蚀刻该绝缘层。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤e中,自动对准蚀刻制程以一非等向性蚀刻法进行。图式简单说明:第一图系显示一种动态随机存取记忆体之电路示意图。第二图系显示一种习知技艺动态随机存取记忆体元件之基本结构图。第三图A至第三图F系显示根据本发明较佳实施例动态随机存取记忆体电容器之制造流程剖面图。 |
