消除场氧化层侵入效应的方法

摘要

本发明提供一种消除场氧化层侵入效应的方法，包括：在一半导体基底上形成复数个沿第一方向排列的条状场氧化区，接着形成复数个沿第二方向排列的条状罩幕，其与第一方向垂直并覆盖住部份该场氧化区。之后，将罩幕之间所暴露之场氧化区蚀刻去除，再去除上述罩幕后，即形成隔离的岛状场氧化区，其边缘不会有鸟嘴侵入的现象，因此可提高半导体元件的积集度

主权项

1.一种消除场氧化层侵入效应的方法,包括:在一半导体基底上形成复数个沿第一方向排列的条状场氧化区;在该半导体基底上形成复数个沿第二方向排列的条状罩幕,其与第一方向垂直并覆盖住部份该场氧化区;去除该些罩幕之间所暴露之场氧化区;以及去除该些罩幕。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些罩幕为光阻。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些场氧化区是以热氧化法形成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所暴露之场氧化区是以乾蚀刻法去除。图式简单说明:第一图A-第一图C为习知之场氧化层的制程示意图。第二图为传统的EPROM/快闪EPROM记忆胞的布局俯视图。第三图A-第三图E为根据本发明一较佳实施例之制程俯视图。