| 主权项 |
1.一种场氧化层隔离元件之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,在该基底表面形成一第一氧化层;(b)定义该第一氧化层之图案,露出该基底,其中未含有该第一氧化层之该基底为第一元件区,含有该第一氧化层之该基底为一第二元件区;(c)在该基底与该第一氧化层表面形成一第二氧化层;(d)在该第二氧化层表面形成一氮化矽层;(e)在该氮化矽层表面涂布一光阻层,并定义该光阻层之图案以在该基底上定义出复数个主动区域;(f)以该光阻层为罩幕,去除该氮化矽层、该第二氧化层与该第一氧化层,露出该基底,之后去除该光阻层;以及(g)对露出之该基底进行氧化反应,在该第一元件区之该基底表面形成复数个第一场氧化层,在该第二元件区之该基底表面形成复数个第二场氧化层,完成本发明之该场氧化层隔离元件之制造。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(a)中之该第一氧化层系以热氧化法形成之氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第一元件区为低电压金氧半元件。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第二元件区为高电压金氧半元件。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(c)中之该第二氧化层系以化学气相沈积法形成之氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(c)中之该第二氧化层系以热氧化法法形成之氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(c)中位于该第一元件区表面之该第二氧化层作为一第一垫氧化层,而该第二元件区表面之该第二氧化层与该第一氧化层作为一第二垫氧化层。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该氮化矽层/该第一垫氧化层厚度比値大于该氮化矽层/该第二垫氧化层厚度比値。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(f)中之该些主动区域表面覆盖有该氮化矽层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(g)中之该第一场氧化层的鸟嘴宽度小于该第二场氧化层的鸟嘴宽度。11.一种有不同鸟嘴宽度场氧化层之方法,包括:提供一基底,在该基底上定义出至少一个元件区,并在该些元件区上以定义出复数个主动区域,且在该基底表面已形成一垫氧化层与氮化矽层;使该些元件区中该氮化矽层/该垫氧化层厚度比値不同;进行热氧化反应,形成不同鸟嘴宽度之该些场氧化层;该氮化矽层,该垫氧化层厚度比値较小之该元件区,形成鸟嘴宽度较宽之该场氧化层;以及该氮化矽层/该垫氧化层厚度比値较大之该元件区,形成鸟嘴宽度较窄之该场氧化层。12.如专利申请范围第11项所述之方法,其中使该氮化矽层/该垫氧化层厚度比値变小,包括下列方法:保持该垫氧化层之厚度,减少该氮化矽层之厚度;保持该氮化矽之厚度,增加该垫氧化层之厚度;增加该垫氧化层之厚度,同时减少该氮化矽层之厚度;同时增加该垫氧化层与该氮化矽层之厚度,但必须使该垫氧化层厚度增加速率大于该氮化矽层厚增加的速率;以及同时减少该垫氧化层与该氮化矽层之厚度,但必须使该氮化矽层厚度减少速率大于该垫氧化层厚度减小的速率。13.如专利申请范围第11项所述之方法,其中使该氮化矽层/该垫氧化层厚度比値变大,包括下列方法:保持该垫氧化层之厚度,增加该氮化矽层之厚度;保持该氮化矽层之厚度,减少该垫氧化层之厚度;增加该氮化矽层之厚度,同时减少该垫氧化层之厚度;同时增加该垫氧化层与该氮化矽层之厚度,但必须使该氮化矽层厚度增加速率大于该垫氧化层厚度增加的速率;以及同时减少该垫氧化层与该氮化矽层之厚度,但必须使该垫氧化层厚度减少速率大于该氮化矽层厚度减小的速率。图式简单说明:第一图A-第一图C是习知一种场氧化层的制造方法;以及第二图A-第二图E是依照本发明一较佳实施例,一种具有不同鸟嘴宽度场氧化层之制造方法。 |
