| 主权项 |
1.一种半导体晶片之底部填充制程,该底部填充制程至少包含:提供至少具有一贯穿孔之基板,该基板具有第一表面以及第二表面,一晶片接合区域位于该第二表面,复数个焊垫形成于该第二表面之上;利用热压方式将该晶片连接于该晶片接合区,该晶片藉由复数个形成于该晶片上之金属凸块与该焊垫连接;及由该第一表面经由该贯穿孔注入非导电性物质至该第二表面用以填充介于该基板与该晶片间之空间。2.如申请专利范围第1项之底部填充制程,其中上述之贯穿孔对准于该晶片接合区域。3.如申请专利范围第1项之底部填充制程,其中上述之非导电性物质为液态胶。4.如申请专利范围第3项之底部填充制程,其中上述之液态胶包含有无机填充物以及有机物高分子。5.如申请专利范围第4项之底部填充制程,其中上述之基板具有第一热膨胀系数,该晶片具有第二热膨胀系数,该无机填充物具有第三热膨胀系数,该有机高分子具有第四热膨胀系数,该第四热膨胀系数大于该第一热膨胀系数,该第一热膨胀系数大于该第三热膨胀系数,该第三热膨胀系数大于该第二热膨胀系数。6.一种半导体晶片之底部填充制程,该底部填充制程至少包含:提供至少具有一贯穿孔之基板,该基板具有第三表面以及第四表面,一晶片接合区域位于该第四表面,该贯穿孔对准于该晶片接合区域,复数个焊垫形成于该第四表面之上;利用热压方式将该晶片连接于该晶片接合区,该晶片藉由复数个形成于该晶片上之金属凸块与该焊垫连接;及由该第三表面经由该贯穿孔注入液态胶至该第四表面用以填充介于该基板与该晶片间之空间。7.如申请专利范围第6项之底部填充制程,其中上述之液态胶包含有无机填充物以及有机物高分子。8.如申请专利范围第6项之底部填充制程,其中上述之基板具有第五热膨胀系数,该晶片具有第六热膨胀系数,该无机填充物具有第七热膨胀系数,该有机高分子具有第八热膨胀系数,该第八热膨胀系数大于该第五热膨胀系数,该第五热膨胀系数大于该第七热膨胀系数,该第七热膨胀系数大于该第六热膨胀系数。图式简单说明:第一图为传统底部填充制程之截面图。第二图A为传统底部填充制程第一实施例之胶体涂布之示意图。第二图B为传统底部填充制程第二实施例之胶体涂布之示意图。第二图C为传统底部填充制程第一实施例之胶体流动方向之示意图。第二图D为传统底部填充制程第二实施例之胶体流动方向之示意图。第三图A为本发明之底部填充制程之截面图。第三图B为本发明之底部填充制程之胶体涂布之示意图。第三图C为本发明底部填充制程之胶体流动方向之示意图。 |
