| 摘要 |
<p>L'invention concerne un transistor SOI à couche mince haute tension doté d'une mince couche semi-conductrice (3) d'un premier type de conduction qui est incorporée à une couche isolateur (2) placée sur un corps semi-conducteur (1). Cette mince couche semi-conductrice (3) contient une zone drain (5) et une zone source (4), toutes deux étant du second type de conduction qui est opposé au premier type de conduction. En outre, la couche isolateur (2) contient une électrode de grille (11) ainsi que des magnétorésistances (8; 9, 10) disposées de façon oblique entre l'électrode de grille (11) et la zone drain (5) de telle façon que plus elles sont éloignées de l'électrode de grille (11) plus leur distance par rapport à la mince couche semi-conductrice (3) est grande. La mince couche semi-conductrice (3) possède des zones à fort dopage (7) du second type de conduction, qui sont affectées à ces magnétorésistances (8; 9, 10) de telle façon que lorsque la zone de charge spatiale se propage à partir de la zone source (4), la tension reste au niveau des différentes magnétorésistances (8; 9, 10).</p> |
