| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine integrierte elektrische Schaltung mit mehreren Strukturebenen, bei der sich auf wenigstens einer Elemente-Strukturebene elektrisch aktive Elemente (20, 30, 40) befinden, wobei oberhalb der Elemente-Strukturebene wenigstens eine Isolationsschicht (320) angeordnet ist, wobei innerhalb und/oder oberhalb der Isolationsschicht (320) elektrische Verbindungsleitungen (330, 340, 350, 360, 410, 420, 430) angeordnet sind, wobei wenigstens ein Teil der Verbindungsleitungen (330, 340, 350, 360, 410, 420, 430) Kupfer enthält und wobei unterhalb der Verbindungsleitungen (330, 340, 350, 360, 410, 420, 430) wenigstens ein Diffusionsblocker angeordnet ist, der die Diffusion von Kupfer behindert und/oder verhindert. Diese integrierte elektrische Schaltung wird erfindungsgemäß so ausgestaltet, daß der Diffusionsblocker als eine nur im Bereich von Kontaktlöchern (170, 180, 190, 200, 210, 220) und/oder Anschlußstücken unterbrochene Blockerschicht (160) ausgebildet ist, und daß sich die Blockerschicht (160) zwischen der Elemente-Strukturebene und der Isolationsschicht (320) befindet.</p> |
